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    SiNW-CMOS Hybrid Common-Source Amplifier as a Voltage-Readout Hydrogen Ion Sensor
    Kim, Dal-Hyun ; Chung, In-Young ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013), S. 135-137
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    Vertical Silicon Nanowire Gate-All-Around Field Effect Transistor Based Nanoscale CMOS
    Anand, Bulusu ; Maheshwaram, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-08-01), S. 1011-1013
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    Enhanced CMOS performances using substrate strained-SiGe and mechanical strained-Si technology
    Yu Min Lin ; San Lein Wu ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006), S. 46-48
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    The spacer/replacer concept: a viable route for sub-100 nm ultrathin-film fully-depleted SOI CMOS
    K. De Meyer ; H. van Meer
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 23 (2002), S. 46-48
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    High performance fully-depleted tri-gate CMOS transistors
    Jack Portland Kavalieros ; Doyle, Brian S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-04-01), S. 263-265
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    Optimization of implant anneals to improve transistor performance in a 0.15 μm CMOS technology
    Olsen, C. ; Lutze, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 21 (2000-09-01), S. 451-453
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    A simulation study to evaluate the feasibility of midgap workfunction metal gates in 25 nm bulk CMOS
    Maitra, Kingsuk ; Misra, Veena
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-11-01), S. 707-709
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    Dual work function metal gate CMOS transistors by Ni-Ti interdiffusion
    Hu, Chenming ; Polishchuk, I. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 23 (2002-04-01), S. 200-202
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    Effects of different tungsten polycide process on the effective channel length and performance of deep submicron CMOS transistors
    Hsieh, Jang-Cheng ; Yaung, Dun-Nian ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 20 (1999), S. 36-38
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    Characterization of channel width dependence of gate delay in 0.18-μm CMOS technology
    Park, Myoung-Kyu ; Jang, Myoung-Jun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 20 (1999-10-01), S. 498-500
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    High-frequency performances of a partially depleted 0.18-μm SOI/CMOS technology at low supply voltage-influence of parasitic elements
    Marcandella, C. ; Pelloire, J.L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 19 (1998-07-01), S. 265-267
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    A floating-gate MOSFET with tunneling injector fabricated using a standard double-polysilicon CMOS process
    Brooke, Martin A. ; Thomsen, A.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 12 (1991-03-01), S. 111-113
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    Low-Voltage Steep Turn-On pMOSFET Using Ferroelectric High-$\kappa$ Gate Dielectric
    Cheng, Chun-Hu ; Chin, Albert
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-02-01), S. 274-276
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    Vertically Stacked and Independently Controlled Twin-Gate MOSFETs on a Single Si Nanowire
    Shen, Nansheng ; Kwong, Dim-Lee ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-11-01), S. 1492-1494
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    Effective Gate Layout Methods for RF Performance Enhancement in MOSFETs
    Oh, Hansu ; Kim, Han-Su ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-10-01), S. 1105-1107
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    A novel double offset-implanted source/drain technology for reduction of gate-induced drain-leakage with 0.12-μm single-gate low-power SRAM device
    Seo, Sang-Hun ; Kim, Kyeong-Tae ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 23 (2002-12-01), S. 719-721
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    $f_{\max}$ Improvement by Controlling Extrinsic Parasitics in Circuit-Level MOS Transistor
    Shin, Hyungcheol ; Park, Byung-Gook ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-12-01), S. 1323-1325
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    p-Channel Ge MOSFET by Selectively Heteroepitaxially Grown Ge on Si
    Hyun Yong Yu ; Saraswat, Krishna C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-06-01), S. 675-677
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    Through-the-gate-implanted ultrathin gate oxide MOSFET's with corner parasitics-free shallow-trench-isolation
    Innertsberger, G. ; Gschwandtner, A. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 20 (1999-07-01), S. 363-365
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    A novel method to characterize parasitic capacitances in MOSFET's
    Esseni, David ; Ricco, Bruno ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 16 (1995-11-01), S. 485-487
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xs 0 - 576
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