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    A comparison study of CMOS T/R switches using gate/source-terminated field-plate transistors
    Chiu, Hsien-Chin ; Lin, Shao-Wei ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 87 (2010-02-01), S. 225-229
    Online unknown
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    Gate dielectric degradation in CMOS inverters
    Gerardin, Simone ; Ghidini, Gabriella ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 86 (2009-10-01), S. 2123-2126
    Online unknown
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    Some issues in advanced CMOS gate stack performance and reliability
    Shen, C. ; Li, Ming-Fu ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 88 (2011-12-01), S. 3377-3384
    Online unknown
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    An optimal silicidation technique for electrostatic discharge protection sub-100nm CMOS devices in VLSI circuit
    Yu, Shao-Ming ; Lee, Jam-Wen ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 84 (2007-02-01), S. 213-217
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    Transmission lines fabricated with CMOS interconnect technology
    Yibin, Zhang ; Jeffrey Su Yong Yong ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 72 (2004-04-01), S. 223-229
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    High mobility CMOS transistors on Si/SiGe heterostructure channels
    Lee, Se-Hoon ; Huang, Jeff ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 97 (2012-09-01), S. 26-28
    Online unknown
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    3D Integration of CMOS transistors with ICV-SLID technology
    Klumpp, Armin ; Wieland, Robert ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 82 (2005-12-01), S. 529-533
    Online unknown
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    Effect and model of gate oxide breakdown on CMOS inverters
    Stathis, James H. ; Linder, Barry ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 72 (2004-04-01), S. 34-38
    Online unknown
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    A hybrid CMOS–SET co-fabrication platform using nano-grain polysilicon wires
    Pott, V. ; Fazan, P. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, 2005-03-01, S. 239-243
    Online unknown
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    Manufacturability of 3D-epitaxial-lateral-overgrowth CMOS circuits with three stacked channels
    Hoefflinger, B. ; Zingg, Rene ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 15 (1991-10-01), S. 191-194
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    CdS Thin Film Transistor for Inverter and Operational Amplifier Circuit Applications
    Pieper, Ronald J. ; Mejia, Israel ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 157 (2016-05-01), S. 64-70
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    Electrical behavior of the Diamond layout style for MOSFETs in X-rays ionizing radiation environments
    Salvador Pinillos Gimenez ; Daniel Manha Alati
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 148 (2015-12-01), S. 85-90
    Online unknown
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    Advanced wafer thinning technology and feasibility test for 3D integration
    Nakamura, Tomoji ; Young Suk Kim ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 107 (2013-07-01), S. 65-71
    Online unknown
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    High-voltage power integrated circuit technology using bulk-silicon for plasma display panels data driver IC
    Lu, Shengli ; Sun, Weifeng ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 71 (2004), S. 112-118
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    Compact poly-CMP embedded flash memory
    Widdershoven, F. ; Rob van Schaijk ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 59 (2001-11-01), S. 225-229
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    Process alternative: SOI for heterogeneous systems
    Flandre, Denis
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 54 (2000-12-01), S. 49-62
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Atom probe tomography of SRAM transistors: Specimen preparation methods and analysis
    Bicais, N. ; Mangelinck, D. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 107 (2013-07-01), S. 167-172
    Online unknown
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    New concept of high-k integration in MOSFET’s by a deposition through contact holes
    Leverd, Francois ; Regnier, Christophe ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 72 (2004-04-01), S. 321-325
    Online unknown
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    Fast-cycle-time single-wafer IC manufacturing
    Breedijk, T. ; Schaper, Chuck ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 25 (1994-08-01), S. 93-130
    Online unknown
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    Optimization of CVD dielectric process to achieve reliable ultra low-k air gaps
    Gayet, Philippe ; Arnal, Vincent ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 60 (2002), S. 143-148
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