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    Stress-Released Amorphous Oxide/Carbon Nanotube CMOS Amplifier Circuits for Skin-Compatible Electronics
    Kim, Kyung-Tae ; Nam, Seung-Ji ; et al.
    In: ACS Applied Electronic Materials, Jg. 3 (2021-10-22), S. 4950-4958
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    Reconfigurable MoTe2 Field-Effect Transistors and its Application in Compact CMOS Circuits
    Chen, Jing ; Wu, Xiao-Ming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-09-01), S. 4748-4753
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    Performance Assessment of CMOS circuits using III-V on Insulator MOS Transistors
    Pandit, Soumya ; Subir Kumar Maity
    In: Silicon, Jg. 13 (2020-07-13), S. 1939-1949
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    Carbon Nanotube-Based CMOS SRAM: 1 kbit 6T SRAM Arrays and 10T SRAM Cells
    Shulaker, Max M. ; Lau, Christian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-12-01), S. 5375-5380
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    Using Schottky Barrier Diode to Improve Latch-Up Immunity for CMOS ICs Operating With Negative Voltage Sources
    Chang, Rong-Kun ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-03-01), S. 395-397
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    Solution-processed organic–inorganic hybrid CMOS inverter exhibiting a high gain reaching 890
    Okamoto, Toshihiro ; Tsuzuku, Kotaro ; et al.
    In: Organic Electronics, Jg. 48 (2017-09-01), S. 127-131
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    Flexible CMOS integrated circuits based on carbon nanotubes with sub-10 ns stage delays
    Tulevski, George S. ; Cao, Qing ; et al.
    In: Nature Electronics, Jg. 1 (2018-03-09), S. 191-196
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    Single Event Effects in 0.18 μm Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: SEU and SEFI
    Feng, Jie ; Zhou, Dong ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 117 (2021-02-01), S. 114038-114038
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    Modeling of CMOS Devices and Circuits on Flexible Ultrathin Chips
    Dahiya, Ravinder ; Gupta, Shoubhik ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-05-01), S. 2038-2046
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    40-Gbit/s 850-nm VCSEL-Based Full-CMOS Optical Link With Power-Data Rate Adaptivity
    Pliva, Jan ; Khafaji, Mahdi ; et al.
    In: IEEE Photonics Technology Letters, Jg. 30 (2018-04-01), S. 611-613
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Monolithic Integration of Si3N4 Microring Filters With Bulk CMOS IC Through Post-Backend Process
    Zhang, Zanyun ; Chen, Hongda ; et al.
    In: IEEE Photonics Technology Letters, Jg. 27 (2015-07-15), S. 1543-1546
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    High-Temperature Voltage and Current References in Silicon Carbide CMOS
    Francis, A. M. ; Holmes, Jim ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-06-01), S. 2455-2461
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    CMOS Logic Device and Circuit Performance of Si Gate All Around Nanowire MOSFET
    Murali, Kota V. R. M. ; Konar, Aniruddha ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-09-01), S. 3066-3074
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    5-Gb/s and 10-GHz Center-Frequency Gaussian Monocycle Pulse Transmission Using 65-nm Logic CMOS With On-Chip Dipole Antenna and High- <tex-math notation='TeX'>\(\kappa \) </tex-math> Interposer
    Kubota, S. ; Kikkawa, Takamaro ; et al.
    In: IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, Jg. 4 (2014-07-01), S. 1193-1200
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    3-D stacked CMOS inverters using Pt/HfO2 on Si substrate for vertical integrated CMOS applications
    Cho, Won-Ju ; Oh, Soon-Young ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 85 (2008-05-01), S. 1206-1209
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    Graphene Nanoribbon Spin Interconnects for Nonlocal Spin-Torque Circuits: Comparison of Performance and Energy Per Bit With CMOS Interconnects
    Rakheja, Shaloo ; Naeemi, Azad
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), S. 51-59
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    Radiation Effects in Si-NW GAA FET and CMOS Inverter: A TCAD Simulation Study
    Dasgupta, Sudeb ; Maheshwaram, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-05-01), S. 1563-1566
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    Comparison of LNAs fabricated in 65-nm CMOS GP and LP processes for the Square Kilometre Array
    Belostotski, Leonid
    In: IEICE Electronics Express, Jg. 9 (2012), S. 636-641
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    Single-Event Transient Measurements in nMOS and pMOS Transistors in a 65-nm Bulk CMOS Technology at Elevated Temperatures
    Schrimpf, Ronald D. ; Massengill, Lloyd W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 11 (2011-03-01), S. 179-186
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A New High-Density and Ultrasmall-Cell-Size Contact RRAM (CR-RAM) With Fully CMOS-Logic-Compatible Technology and Circuits
    Kuo, C. H. ; Huang, Chia-En ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011), S. 53-58
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