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    LPE growth of Tb3Al5O12:Ce single crystalline film converters for WLED application
    Elia, Jack ; Gorbenko, Vitalii ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 23 (2021), S. 3212-3219
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    Low-temperature LPE growth and characterization of GaAsSb layers for photovoltaic applications
    Georgiev, S. ; Donchev, V. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 574 (2021-11-01), S. 126335-126335
    Online unknown
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    LPE Growth and Scintillation Properties of (Zn,Mg)O Single Crystalline Film
    Yamaji, Akihiro ; Yokota, Yuui ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-10-01), S. 2286-2289
    Online unknown
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    LPE growth of InP/InGaAsP/InP heterostructures and separate preparation of high-temperature solutions
    Vilk, D. M. ; Shelyakin, A. A. ; et al.
    In: Inorganic Materials, Jg. 43 (2007-07-01), S. 683-688
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Comparative study of the photoluminescence of InGaP layers grown on GaAs substrates by LPE and MOVPE techniques
    Prutskij, Tatiana ; Pelosi, Claudio ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 36 (2005-03-01), S. 374-378
    Online unknown
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    Novel Liquid Phase Epitaxy (LPE) Growth Method for Growing Large GaN Single Crystals: Introduction of the Flux Film Coated-Liquid Phase Epitaxy (FFC-LPE) Method
    Mori, Yusuke ; Omae, Kunimichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 42 (2003-08-01), S. L879- (3S.)
    Online unknown
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    LPE growth of InAsSbP for mid-infrared (2-4 μm) optoelectronic devices†
    Krier, Anthony ; M. K Parry
    In: International Journal of Electronics, Jg. 77 (1994-09-01), S. 317-323
    Online unknown
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    Comparison of light emission from room temperature light emitting diodes with InAs active regions grown by LPE
    Krier, Anthony ; Fisher, Michael
    In: IEE Proceedings - Optoelectronics, Jg. 144 (1997-10-01), S. 287-294
    Online unknown
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    Growth, structure, and optical properties of GaSb quantum dot by LPE technique
    Lv, Y. F. ; Zhuang, Qiandong ; et al.
    In: 2013 IEEE 5th International Nanoelectronics Conference (INEC), 2013
    Online unknown
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    Uncooled 4.2 μm light emitting diodes based on InAs0.91Sb0.09/GaSb grown by LPE
    Krier, A. ; Mao, Y.
    In: Optical Materials, Jg. 6 (1996-07-01), S. 55-61
    Online unknown
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    Photoluminescence of GaAs layers hybrid-grown on Si by MBE and LPE
    Unno, T. ; Yazawa, Y. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 115 (1991-12-01), S. 519-523
    Online unknown
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    LPE grown GaAs1−xNx (x ≤ 0.01) for photoconductive devices
    Das, Soumyadip ; Dhar, S. ; et al.
    In: 2012 5th International Conference on Computers and Devices for Communication (CODEC), 2012-12-01
    Online unknown
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    Effect of various factors upon the stoichiometry of GaAs homoepitaxial layers grown by LPE
    Shlenskii, A. A. ; Novikov, A. G. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (a), Jg. 144 (1994-07-16), S. 121-130
    Online unknown
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    Raman scattering study of the clustering phenomena in InGaAsP grown by LPE on (100) and (111) GaAs
    Hiramatsu, Kazumasa ; Sawaki, Nobuhiko ; et al.
    In: Seventh International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2002-11-19
    Online unknown
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    LPE growth of ultrathin InGaAsP layer
    Zhang, Xingde ; Bo, Baoxue ; et al.
    In: Third International Conference on Thin Film Physics and Applications, 1998-02-20
    Online unknown
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    Raman scattering (RS) and photoluminescence (PL) study of AlGaAs films grown from Ga-Bi-Al solution melt by LPE
    Yu. Yu Bacherikov ; Vasilkovskii, S. A. ; et al.
    In: SPIE Proceedings, 1994-10-31
    Online unknown
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    AlGaAs/GaAs quantum well heterostructures grown by the low temperature LPE technique
    Prutskij, T. ; Mendoza-Alvarez, J.G. ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, 1996
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    GaIn As Quantum Dots (QD) grown by Liquid Phase Epitaxy (LPE)
    Gorbatchev A Yu ; Elyukhin, V A ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series, Jg. 167 (2009-05-01), S. 012002-12002
    Online unknown
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    Optimization of LPE-grown high efficiency GaAs solar cells
    Ehrhardt, A. ; Lutz, F. ; et al.
    In: The Conference Record of the Twenty-Second IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1991, 1991
    Online unknown
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    New semiconductor material A1xInAsySb/InAs: LPE synthesis and properties
    Litvak, A. M. ; Moiseev, Konstantin D. ; et al.
    In: SPIE Proceedings, 1991-09-01
    Online unknown
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