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    Demonstration of device-quality InGaN grown on porous GaN tiles by MBE with an in-plane lattice constant equivalent to fully relaxed In0.12Ga0.88N
    Wurm, Christian ; Collins, Henry ; et al.
    In: 2022 Compound Semiconductor Week (CSW), 2022-06-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    1.73 eV AlGaAs/InGaP heterojunction solar cell grown by MBE with 18.7% efficiency
    Bercegol, Adrien ; Lombez, Laurent ; et al.
    In: Progress in Photovoltaics: Research and Applications, Jg. 28 (2020-02-05), S. 393-402
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Wie komme ich dran?
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    RF-MBE growth and orientation control of GaN on epitaxial graphene
    Kamada, Yuta ; Syamoto, Riku ; et al.
    In: Results in Physics, Jg. 20 (2021)
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Structure design and property of multiple-basis-element (MBE) alloys flexible films
    Zhang, Yong ; Huang, Hao ; et al.
    In: Nano Research, Jg. 15 (2021-05-11), S. 4837-4844
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Large-area epitaxial CdTe(100) films grown on GaAs(100) substrates: MBE growth and substrate temperature effect
    Ha, Yang ; Tae Heon Kim ; et al.
    In: Journal of the Korean Physical Society, Jg. 79 (2021-11-22), S. 1057-1062
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    On the Study of Dislocation Density in MBE GaSb-Based Structures
    Sankowska, Iwona ; Kozłowski, Paweł ; et al.
    In: Crystals, Jg. 10 (2020-11-01), Heft 1074
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Effect of Thermal Annealing on Deep and Near-band Edge Emission from ZnO Films Grown by Plasma-assisted MBE : Transparent conductors and semiconductors for optoelectronics
    Avrutin, V. ; Reshchikov, M.A. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 1109 (2009), S. 126-131
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Molecular beam epitaxial (MBE) growth and spectroscopy of dilute nitride InAsN:Sb for mid-infrared applications : Semiconductor and integrated optoelectronics
    Zhuang, Q. ; Krier, A.
    In: IET OPTOELECTRONICS, Jg. 3 (2009), Heft 6, S. 248-258
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    In Situ Synchrotron X-ray Diffraction Reciprocal Space Mapping Measurements in the RF-MBE Growth of GaInN on GaN and InN
    Araki, Tsutomu ; Onuma, Takeyoshi ; et al.
    In: Crystals, 2019-11-28
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Fabrication of MIS photodetector with Ge nanocrystals grown by MBE
    Berbezier, Isabelle ; M’gaieth, R. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 32 (2021-05-29), S. 16800-16810
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Optical characterization of Nitrided InAs/GaAs quantum dots grown by MBE
    Naceur, Syrine ; Smiri, Badreddine ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 32 (2021-08-11), S. 22645-22653
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Wie komme ich dran?
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    Conductivity anisotropy of CdHgTe MBE layers with a periodic surface microrelief [5136-60] : International conference on solid state crystals; Crystalline materials for optoelectronics
    Voitsekhovskii, A. V. ; Kokhanenko, A. P. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- SPIE THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, Jg. 5136 (2003), S. 405-410
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Radiation effects in photoconductive MCT MBE heterostructures [5136-61] : International conference on solid state crystals; Crystalline materials for optoelectronics
    Voitsekhovskii, A. V. ; Kokhanenko, A. P. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- SPIE THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, Jg. 5136 (2003), S. 411-415
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    IR photodetectors based on MBE-grown MCT layers (Invited Paper) [5065-04] : Material science and material properties for infrared optoelectronics
    Vasilyev, V. V. ; Ovsyuk, V. N. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- SPIE THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, Jg. 5065 (2003), S. 39-46
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Relaxed InAsP Layers Grown on Step Graded InAsP Buffers by Solid Source MBE : Materials and devices for optoelectronics and photonics
    Hudait, M. K. ; Lin, Y. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 722 (2002), S. 287-292
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    DLTS study of deep levels in GRIN-SCH-SQW GaAs/AlGaAs laser diode structures grown by MBE : Optoelectronics I: materials and technologies for optoelectronic devices
    Kaniewska, M. ; Krynska, D. ; et al.
    In: OPTICAL MATERIALS -AMSTERDAM-, Jg. 17 (2001), Heft NO 1-2, S. 283-286
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Er/O doped Si~1~-~xGe~x alloy layers grown by MBE : Optoelectronics I: materials and technologies for optoelectronic devices
    Duteil, F. ; Du, C. X. ; et al.
    In: OPTICAL MATERIALS -AMSTERDAM-, Jg. 17 (2001), Heft NO 1-2, S. 131-134
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    High-power 980-nm laser diodes by MBE (Invited Paper) [4580-03] : Optoelectronics, materials, and devices for communications
    Mikulla, M. ; Kelemen, M. T. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- SPIE THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, Jg. 4580 (2001), S. 11-18
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Deep-level defects in semi-insulating LT MBE GaAs [4413-36] : Solid state crystals; Epilayers and heterostructures in optoelectronics and semiconductor technology
    Kozlowski, R. ; Kaminski, P. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- SPIE THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, Jg. 4413 (2001), S. 203-207
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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