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    Deep Submicron CMOS Technology Using Top-Edge Round STI and Dual Gate Oxide for Low Power 256 M-Bit Mobile DRAM
    Hyeong Joon Kim ; Jo, Namhyuk ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 42 (2003-04-30), S. 1892-1896
    Online unknown
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    Understanding ambipolar transport in MoS2 field effect transistors: the substrate is the key
    Leonhardt, Alessandra ; Lin, Dennis ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-01-06), S. 135202-135202
    Online unknown
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    Analysis of Random Telegraph Signal Noise in Dual and Single Oxide Device and Its Application to Complementary Metal Oxide Semiconductor Image Sensor Readout Circuit
    Lee, Hochul ; Yoon, Youngchang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-04-25), S. 2602-2605
    Online unknown
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    Effect of Etch Stop Layer Stress on Negative Bias Temperature Instability of Deep Submicron p-Type Metal–Oxide–Semiconductor Field Effect Transistors with Dual Gate Oxide
    Chiang, Yen-Ting ; Chen, Ming-Shing ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-04-25), S. 2624-2627
    Online unknown
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    Study on the recovery of NBTI of ultra-deep sub-micro MOSFETs
    In: Chinese Physics, Jg. 16 (2007-03-20), S. 1140-1144
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    Effect of Oxide Breakdown on Complementary Metal Oxide Semiconductor Circuit Operation and Reliability
    Kamakura, Yoshinari ; Taniguchi, Kenji ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-11-15), S. 7866-7870
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    Defect Generation and Severity Comparison of Negative Bias Temperature Stress-Induced Degradation on 90 nm p-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors with Different Oxide Thicknesses
    Tu, Chia-Hao ; Chen, Shuang-Yuan
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 49 (2010-04-01), S. 04DC26
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    Influence of Low Dielectric SiOF Film on Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Characteristics and Its Impact on Circuit Performance
    Ida, Jiro ; Ohtomo, Atsushi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 37 (1998-11-01), S. 5843-5843
    Online unknown
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    An Efficient Threshold Voltage Control in Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Field Effect Transistor Using Spacer Stress Engineering
    Huang, Chien-Chao ; Chen, Hao-Yu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 49 (2010-07-01), S. 070204-70204
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A 0.25 µm Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (CMOSFET) using Halo Implantation for 1 Gbit Dynamic Random Access Memory (DRAM)
    Jong Woo Park ; Ki Nam Kim ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 35 (1996-02-01), S. 865-865
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    Vox/Eox-Driven Breakdown of Ultrathin SiON Gate Dielectrics in p-Type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors under Low-Voltage Inversion Stress
    Umeda, Hiroshi ; Tsujikawa, Shimpei ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 46 (2007-01-10), S. 7-13
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Thin gate oxide damage due to plasma processing
    Hu, Chenming ; Shin, Hyungcheol
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 11 (1996-04-01), S. 463-473
    Online unknown
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