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708 Treffer

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    Patent Issued for Nanosheet CMOS Transistors (USPTO 10,319,813).
    In: Investment Weekly News, 2019-06-29, S. 5443
    Zeitungsartikel
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    Qualcomm Inc Submits Patent Application for CMOS on-Chip Dual-Supply Multi-Mode CMOS Regulators.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2018-07-22
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Diffusion Resistor With Reduced Voltage Coefficient Of Resistance And Increased Breakdown Voltage Using CMOS Wells (USPTO 10,128,145).
    In: Investment Weekly News, 2018-12-01, S. 4272
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Multimodality CMOS Sensor Array For Physiological Characterization Of Cells (USPTO 10,126,289).
    In: Health & Medicine Week, 2018-11-30, S. 1129
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    "Patterned Gate Dielectrics For Iii-V-Based Cmos Circuits" in Patent Application Approval Process (USPTO 20180308844).
    In: Investment Weekly News, 2018-11-17, S. 1692
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Adaptive Body Biasing In CMOS Circuits To Extend The Input Common Mode Operating Range (USPTO 10,103,728).
    In: Investment Weekly News, 2018-11-03, S. 3069
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Researchers Submit Patent Application, "Fabricating Contacts Of A Cmos Structure", for Approval (USPTO 20180294193).
    In: Computer Weekly News, 2018-10-31, S. 7775
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Researchers Submit Patent Application, "Cmos Compatible Low Gate Charge High Voltage Pmos", for Approval (USPTO 20180286860).
    In: Investment Weekly News, 2018-10-27, S. 8412
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    "Cmos Compatible Fuse Or Resistor Using Self-Aligned Contacts" in Patent Application Approval Process (USPTO 20180286856).
    In: Investment Weekly News, 2018-10-27, S. 856
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Researchers Submit Patent Application, "Nanosheet Cmos Transistors", for Approval (USPTO 20180277630).
    In: Computer Weekly News, 2018-10-17, S. 8957
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Researchers Submit Patent Application, "Low Resistance Source/Drain Contacts For Complementary Metal Oxide Semiconductor (Cmos) Devices", for Approval (USPTO 20180261597).
    In: Computer Weekly News, 2018-10-03, S. 6797
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    "Simplified Gate Stack Process To Improve Dual Channel Cmos Performance" in Patent Application Approval Process (USPTO 20180247096).
    In: Investment Weekly News, 2018-09-22, S. 1799
    Zeitungsartikel
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Researchers Submit Patent Application, "Simplified Gate Stack Process To Improve Dual Channel Cmos Performance", for Approval (USPTO 20180247097).
    In: Computer Weekly News, 2018-09-19, S. 8334
    Zeitungsartikel
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    "Cmos And Bipolar Device Integration Including A Tunable Capacitor" in Patent Application Approval Process (USPTO 20180233604).
    In: Investment Weekly News, 2018-09-08, S. 695
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Complimentary SONOS Integration into CMOS Flow (USPTO 9997528).
    In: Investment Weekly News, 2018-06-30, S. 1408
    Zeitungsartikel
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    Exar Corporation Seeks Patent for Adaptive Body Biasing in CMOS Circuits to Extend the Input Common Mode Operating Range.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2019-02-14
    Zeitungsartikel
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    IBM Secures Patent on Enhancing Robustness of SOI Substrate Containing a Buried N.Sup.+ Silicon Layer for CMOS Processing.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2019-02-12
    Zeitungsartikel
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    Intel Seeks Patent for Hybrid Trigate and Nanowire CMOS Device Architecture.
    In: Global IP News: Nanotech Patent News, 2019-02-06
    Zeitungsartikel
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Intel Files United States Patent Application for CMOS FinFET Device Having Strained SiGe Fins and a Strained Si Cladding Layer on the NMOS Channel.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2019-01-31
    Zeitungsartikel
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    IBM Seeks Patent for Self-Aligned Air Gap Spacer for Nanosheet CMOS Devices.
    In: Global IP News: Nanotech Patent News, 2018-12-13
    Zeitungsartikel
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