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    CMOS inverter based on gate-all-around Silicon-Nanowire MOSFETs fabricated using Top-Down approach
    RUSTAGI, S. C ; SINGH, N ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 11, S. 1021-1024
    Online academicJournal
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    Effect of B2H6 Plasma Doping on the Shallow Trench Isolation in CMOS Image Sensor Device
    SUNG GYU, PYO ; JI HWAN, PARK ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 11, S. 1580-1582
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A Fully Differential CMOS―MEMS DETF Oxide Resonator With Q > 4800 and Positive TCF
    CHEN, Wen-Chien ; LI, Ming-Huang ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 5, S. 721-723
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A Traveling-Wave CMOS SPDT Using Slow-Wave Transmission Lines for Millimeter-Wave Application
    TANG, Xiao-Lan ; PISTONO, Emmanuel ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 9, S. 1094-1096
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Post-CMOS FinFET Integration of Bismuth Telluride and Antimony Telluride Thin-Film-Based Thermoelectric Devices on SoI Substrate
    ETHEM ERKAN, AKTAKKA ; GHAFOURI, Niloufar ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 10, S. 1334-1336
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Vertical Silicon Nanowire Gate-All-Around Field Effect Transistor Based Nanoscale CMOS
    MAHESHWARAM, Satish ; MANHAS, S. K ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 8, S. 1011-1013
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    CMOS-Compatible Vertical-Silicon-Nanowire Gate-All-Around p-Type Tunneling FETs With < 50-mV/decade Subthreshold Swing
    GANDHI, Ramanathan ; ZHIXIAN, CHEN ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 11, S. 1504-1506
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Millimeter-Wave Passives in 45-nm Digital CMOS
    JINGLIN, SHI ; KAI, KANG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 10, S. 1080-1082
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Effects of Guard-Ring Structures on the Performance of Silicon Avalanche Photodetectors Fabricated With Standard CMOS Technology
    LEE, Myung-Jae ; RÜCKER, Holger ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 1, S. 80-82
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A Single-Photon Avalanche Diode in 90-nm CMOS Imaging Technology With 44% Photon Detection Efficiency at 690 nm
    WEBSTER, Eric A. G ; RICHARDSON, Justin A ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 5, S. 694-696
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A High-Performance Single-Photon Avalanche Diode in 130-nm CMOS Imaging Technology
    WEBSTER, Eric A. G ; GRANT, Lindsay A ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 11, S. 1589-1591
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A micromachined CMOS distributed amplifier by CMOS compatible ICP deep-trench technology
    TAO, WANG ; CHEN, Chun-Hao ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 4, S. 291-293
    Online academicJournal
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    A Dual-Junction Single-Photon Avalanche Diode in 130-nm CMOS Technology
    HENDERSON, Robert K ; WEBSTER, Eric A. G ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 3, S. 429-431
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Molecular Electronic Transducer-Based Low-Frequency Accelerometer Fabricated With Post-CMOS Compatible Process Using Droplet as Sensing Body
    HAI, HUANG ; MENGBING, LIANG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 10, S. 1304-1306
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Novel Readout Circuit Architecture for CMOS Image Sensors Minimizing RTS Noise
    MARTIN-GONTHIER, Philippe ; MAGNAN, Pierre
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 6, S. 776-778
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    65-nm CMOS Monolithically Integrated Subterahertz Transmitter
    XIN, HU ; TRIPODI, Lorenzo ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 9, S. 1182-1184
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A high-efficiency CMOS image sensor with air gap in situ microlens (AGML) fabricated by 0.18-μm CMOS technology
    HSU, T. H ; FANG, Y. K ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 9, S. 634-636
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Exploiting CMOS Technology to Enhance the Performance of ISFET Sensors
    PRODROMAKIS, Themistoklis ; YAN, LIU ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 9, S. 1053-1055
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Benchmarking of III-V n-MOSFET Maturity and Feasibility for Future CMOS
    DOORNBOS, Gerben ; PASSLACK, Matthias
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 10, S. 1110-1112
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A 0.26-μm2 U-Shaped Nitride-Based programming cell on pure 90-nm CMOS technology
    LAI, Han-Chao ; CHENG, Kai-Yuan ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 9, S. 837-839
    Online academicJournal
    Zugriff:
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