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    Ring oscillators for CMOS process tuning and variability control
    BHUSHAN, Manjul ; GATTIKER, Anne ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 19 (2006), Heft 1, S. 10-18
    Online Konferenz
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    A test structure for contact and via failure analysis in deep-submicrometer CMOS technologies
    CABRINI, Alessandro ; CANTARELLI, Daniele ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 19 (2006), Heft 1, S. 57-66
    Online Konferenz
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    Timing Optimization and Noise Tolerance for Dynamic CMOS Susceptible to Process Variations
    YELAMARTHI, Kumar ; HENRY CHEN, Chien-In
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 25 (2012), Heft 2, S. 255-265
    Online academicJournal
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    A Comparative Study of Metamodels for Fast and Accurate Simulation of Nano-CMOS Circuits
    GARITSELOV, Oleg ; MOHANTY, Saraju P ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 25 (2012), Heft 1, S. 26-36
    Online academicJournal
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    Feedforward Run-to-Run Control for Reduced Parametric Transistor Variation in CMOS Logic 0.13 μm Technology
    JEDIDI, Nader ; SALLAGOITY, Pascal ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 24 (2011), Heft 2, S. 273-279
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    A Temperature Sensor With an Inaccuracy of -1/+0.8 °C Using 90-nm 1-V CMOS for Online Thermal Monitoring of VLSI Circuits : International Conference on Microelectronic Test Structures
    SASAKI, Masahiro ; IKEDA, Makoto ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 21 (2008), Heft 2, S. 201-208
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Enhancement of CMOS performance by process-induced stress : Materials-related manufacturing issues in the nanochip era
    YUHAO, LUO ; NAYAK, Deepak K
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 18 (2005), Heft 1, S. 63-68
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Impact of gate induced drain leakage on overall leakage of submicrometer CMOS VLSI circuits
    SEMENOV, Oleg ; PRADZYNSKI, Andrzej ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 15 (2002), Heft 1, S. 9-18
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Effect of UV/VUV enhanced RTP on process variation and device performance of metal gate/high-κ gate stacks for the Sub-90-nm CMOS regime : Materials-related manufacturing issues in the nanochip era
    DAMJANOVIC, Daniel ; HARISH KUMAR, BOLLA ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 18 (2005), Heft 1, S. 55-62
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Effect of CMOS technology scaling on thermal management during burn-in
    SEMENOV, Oleg ; VASSIGHI, Arman ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 16 (2003), Heft 4, S. 686-695
    Online academicJournal
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    Precise characterization of long-distance mismatch of CMOS devices
    SCHAPER, Ulrich ; LINNENBANK, Carsten G ; et al.
    In: 2000 ICMTS, Jg. 14 (2001), Heft 4, S. 311-317
    Online Konferenz
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    Volltext
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    Shallow trench isolation for the 45-nm CMOS node and geometry dependence of STI stress on CMOS device performance : The advanced semiconductor manufacturing conference
    TILKE, Armin T ; STAPELMANN, Chris ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 20 (2007), Heft 2, S. 59-67
    Online academicJournal
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    A Novel BJT Structure Implemented Using CMOS Processes for High-Performance Analog Circuit Applications : The 2011 International Conference on Microelectronic Test Structures
    JUNG, Yi-Jung ; PARK, Byoung-Seok ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 25 (2012), Heft 4, S. 549-554
    Online academicJournal
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    Characterization for High-Performance CMOS Using In-Wafer Advanced Kelvin-Contact Device Structure
    KURODA, Rihito ; TERAMOTO, Akinobu ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 22 (2009), Heft 1, S. 126-133
    Online academicJournal
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    Manufacturing benefits of disilane as a precursor for polycrystalline silicon films for the advanced CMOS gate electrode : Materials-related manufacturing issues in the nanochip era
    YUANNING, CHEN ; HAOWEN, BU ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 18 (2005), Heft 1, S. 42-48
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Effect of tilt angle variations in a halo implant on Vth values for 0.14-μm CMOS devices
    SANTIESTEBAN, Ramon S ; ABELN, Glenn C ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 16 (2003), Heft 4, S. 653-655
    Online academicJournal
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    Metrology challenges for 45-nm strained-Si device technology
    VARTANIAN, Victor ; ZOLLNER, Stefan ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 19 (2006), Heft 4, S. 381-390
    Online Konferenz
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    A coupled-simulation-and-optimization approach to nanodevice fabrication with minimization of electrical characteristics fluctuation
    YIMING, LI ; YU, Shao-Ming
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 20 (2007), Heft 4, S. 432-438
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    TCAD-based statistical analysis and modeling of gate line-edge roughness effect on nanoscale MOS transistor performance and scaling
    KIM, Seong-Dong ; WADA, Hideyuki ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 17 (2004), Heft 2, S. 192-200
    Online academicJournal
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    In search of forever, continued transistor scaling one new material at a time : Materials-related manufacturing issues in the nanochip era
    THOMPSON, Scott E ; CHAU, Robert S ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 18 (2005), Heft 1, S. 26-36
    Online academicJournal
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