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    Patent Issued for CMOS FinFET structures including work-function materials having different proportions of crystalline orientations and methods of forming the same (USPTO 11961768).
    In: Technology Business Journal, 2024-05-07, S. 1957
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Dipole patterning for CMOS devices (USPTO 11791218).
    In: Technology Business Journal, 2023-11-07, S. 2492
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Bump bonding structure to mitigate space contamination for III-V dies and CMOS dies (USPTO 11784460).
    In: Technology Business Journal, 2023-10-31, S. 1918
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Seal method to integrate non-volatile memory (NVM) into logic or bipolar CMOS DMOS (BCD) technology (USPTO 11711917).
    In: Technology Business Journal, 2023-08-15, S. 2996
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for CMOS finFET structures including work-function materials having different proportions of crystalline orientations and methods of forming the same (USPTO 11682589).
    In: Technology Business Journal, 2023-07-11, S. 2028
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for High voltage CMOS with co-planar upper gate surfaces for embedded non-volatile memory (USPTO 11672124).
    In: Technology Business Journal, 2023-06-27, S. 2452
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Multiple deep trench isolation (MDTI) structure for CMOS image sensor (USPTO 11495630).
    In: Technology Business Journal, 2022-11-29, S. 2886
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for CMOS compatible BioFET (USPTO 11486854).
    In: Technology Business Journal, 2022-11-22, S. 1677
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Metal gate structure of a CMOS semiconductor device and method of forming the same (USPTO 11393726).
    In: Technology Business Journal, 2022-08-09, S. 2888
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Method for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices with microelectromechanical systems (MEMS) devices using a flat surface above a sacrificial layer (USPTO 11342266).
    In: Technology Business Journal, 2022-06-14, S. 2816
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Strained nanowire CMOS device and method of forming (USPTO 11309385).
    In: Technology Business Journal, 2022-05-10, S. 3856
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Method for manufacturing a MEMS device by first hybrid bonding a CMOS wafer to a MEMS wafer (USPTO 11279615).
    In: Technology Business Journal, 2022-04-12, S. 3273
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for CMOS-MEMS integration with through-chip via process (USPTO 11235969).
    In: Technology Business Journal, 2022-02-22, S. 1921
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for CMOS image sensor structure with microstructures formed on semiconductor layer (USPTO 11177302).
    In: Technology Business Journal, 2021-12-07, S. 2153
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Seal method to integrate non-volatile memory (NVM) into logic or bipolar CMOS DMOS (BCD) technology (USPTO 11114452).
    In: Technology Business Journal, 2021-09-28, S. 3486
    Zeitungsartikel
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