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    High performance infrared detectors compatible with CMOS-circuit process.
    Wang, Chao ; Li, Ning ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 30 (2021-05-01), Heft 5, S. 1-4
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A novel integrated ultraviolet photodetector based on standard CMOS process.
    Han, Wang ; Chang-Ping, Chen ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 24 (2015-03-01), Heft 3, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Development of a novel fibre optic beam profile and dose monitor for very high energy electron radiotherapy at ultrahigh dose rates.
    Bateman, Joseph J ; Buchanan, Emma ; et al.
    In: Physics in Medicine & Biology, Jg. 69 (2024-04-21), Heft 8, S. 1-16
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    MoS<subscript>2</subscript>/pentacene hybrid complementary inverter based photodetector with amplified voltage–output.
    Liu, Fengjing ; Zhang, Yiwei ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021), Heft 1, S. 1-7
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    High-performance broadband photoresponse of self-powered Mg<subscript>2</subscript>Si/Si photodetectors.
    Zhu, Qinghai ; Ye, Peng ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 33 (2022-03-12), Heft 11, S. 1-11
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low-noise, high-detectivity, polarization-sensitive, room-temperature infrared photodetectors based on Ge quantum dot-decorated Si-on-insulator nanowire field-effect transistors.
    John, John Wellington ; Dhyani, Veerendra ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-07-30), Heft 31, S. 1-9
    academicJournal
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    High-performing silicon-based germanium Schottky photodetector with ITO transparent electrode.
    Huang, Zhiwei ; Ke, Shaoying ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 30 (2021-03-01), Heft 3, S. 1-7
    academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Reducing the dark current of cuprous oxide/Au schottky photodetector for high signal-to-noise ratio imaging.
    Liu, Yujin ; Zhu, Jundong ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 53 (2020-05-27), Heft 22, S. 1-5
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    High-specific-detectivity, low-dark-current Ge nanowire metal–semiconductor–metal photodetectors fabricated by Ge condensation method.
    Yu, Chunyu ; Huang, Zhiwei ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 53 (2020-03-18), Heft 12, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Large-area silicon nanowire Schottky junction photodetector with tunable absorption and low junction capacitance.
    L P Hackett ; M A Seyedi ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 50 (2017-06-01), Heft 21, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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