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    academicJournal
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    Effects of Post-growth Thermal Annealing on MBE-grown InAlGaAs/GaAs Quantum Dots
    Arefin, Riazul ; Lee, Seunghyun ; et al.
    In: 2022 Compound Semiconductor Week (CSW), 2022-06-01, S. 1-2
    Konferenz
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    Core-shell InGaN Nanowires: MBE Growth and Properties
    Gridchin, V. O. ; Reznik, R. R. ; et al.
    In: 2022 International Conference Laser Optics (ICLO), 2022-06-20, S. 1-1
    Konferenz
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    academicJournal
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    MBE Growth and Characterization of InAlGaAs/GaAs Quantum Dots
    Arefin, Riazul ; Lee, Seunghyun ; et al.
    In: 2021 IEEE Research and Applications of Photonics in Defense Conference (RAPID), 2021-08-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Tunneling dynamics and transport in MBE-grown GaAs/AlGaAs asymmetric double quantum wells investigated via photoluminescence and terahertz time-domain spectroscopy.
    De Los Reyes, Alexander ; Prieto, Elizabeth Ann ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 33 (2022-07-15), Heft 20, S. 16126-16135
    Online academicJournal
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    Photoluminescence of Crystalline cDtE double heterostructures grown by MBE
    Zaunbrecher, Katherine N. ; Dippo, Pat ; et al.
    In: 2015 IEEE 42nd Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), 2015-06-01, S. 1-4
    Konferenz
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    Time-resolved photoluminescence of MBE-grown 1 eV GaAsSbN for multi-junction solar cells
    Thomas, Tomos ; Kasamatsu, Naofumi ; et al.
    In: 2015 IEEE 42nd Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), 2015-06-01, S. 1-5
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Superior performances from fabricated microstructures on MBE-grown IV-VI lead salt materials for mid-infrared applications
    Mukherjee, Shaibal ; Jain, S. ; et al.
    In: 2007 International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, 2007-12-01, S. 413
    Konferenz
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    academicJournal
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    Optical characterization of InGaAsP/InAlAsP multiple quantum wells grown by MBE for 1 μm wavelength region
    Yamamoto, T. ; Kayama, M. ; et al.
    In: 2010 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), 2010-05-01, S. 1-4
    Konferenz
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    High uniformity and high quality P-based heterostructures grown by a production MBE system for optoelectronics applications
    Wilk, A. ; Godey, S. ; et al.
    In: International Conference onIndium Phosphide and Related Materials,, 2003, S. 421-424
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    MBE법으로 성장한 InAs 양자점의 Photoluminescence 특성 : Photoluminescence Characteristics of InAs Quantum Dots Grown by MBE
    김근형 / Geun Hyeong Kim ; 김기홍 / Ki Hong Kim
    In: 자연과학연구논문집, Jg. 11 (2013-12-31), Heft 1, S. 121-126
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Material characterization of highly strained and partially strain compensated In/sub x/Ga/sub 1-x/As/In/sub y/Al/sub 1-y/A/sub s/ quantum cascade light emitting diodes grown by MBE for emission in the near infrared (2-4 /spl mu/m)
    Mitchell, C.J. ; Sly, J.L. ; et al.
    In: The 10th IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 2002, S. 8-13
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Online academicJournal
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    Characterization of As-P interface-sensitive GaInP/GaAs structures grown in a production MBE system
    Dhellemmes, S. ; Godey, S. ; et al.
    In: 16th IPRM. 2004 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials,, 2004, S. 159-162
    Konferenz
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    Growth of GaAs and AlGaAs on Si substrates by atomic hydrogen assisted MBE (H-MBE) for solar cell applications
    Okada, Y. ; Kawabata, A. ; et al.
    In: Proceedings of 1994 IEEE 1st World Conference on Photovoltaic Energy Conversion - WCPEC (A Joint Conference of PVSC, PVSEC and PSEC), Jg. 2 (1994), S. 1701-1704
    Konferenz
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    InAsN/GaAsN quantum dots grown on GaAs substrate by solid source MBE
    zhongzhe, Sun ; Yew Kuok Chuin
    In: International Conference onIndium Phosphide and Related Materials,, 2003, S. 448-451
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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