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    Modeling Second Order Anisotropy of Monodomain Magnetic Body
    Tauki, Md. Sadik Yasir ; Hassan, Orchi
    In: 2022 12th International Conference on Electrical and Computer Engineering (ICECE), 2022-12-21, S. 441-444
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Finite Element Method Approach to MRAM Modeling
    Bendra, M. ; Ender, J. ; et al.
    In: 2021 44th International Convention on Information, Communication and Electronic Technology (MIPRO), 2021-09-27, S. 70-73
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A Fokker-Planck Solver to Model MTJ Stochasticity
    Garcia-Redondo, Fernando ; Prabhat, Pranay ; et al.
    In: ESSDERC 2021 - IEEE 51st European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2021-09-13, S. 263-266
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Spin Transfer Torques in Ultra-Scaled MRAM Cells
    Bendra, M. ; Fiorentini, S. ; et al.
    In: 2022 45th Jubilee International Convention on Information, Communication and Electronic Technology (MIPRO), 2022-05-23, S. 129-132
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Magnetization Vector Control and Resistance Analysis of STT p-MTJ Devices
    Gholipour, Alireza ; Rajaei, Ramin
    In: Electrical Engineering (ICEE), Iranian Conference on, 2018-05-01, S. 250-254
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Compact Modeling and Analysis of Voltage-Gated Spin-Orbit Torque Magnetic Tunnel Junction
    Zhang, K. ; Zhang, D. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 8 (2020), S. 50792-50800
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Integration of unique switch type Fault Current Limiter to mitigate the power quality problems in distribution system
    Sridhar, P. ; Chandra Rao, V.P. ; et al.
    In: 2014 International Conference on Smart Structures and Systems (ICSSS), 2014-10-01, S. 75-80
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A comprehensive study on interface perpendicular MTJ variability
    Choi, Won Ho ; Kim, Jongyeon ; et al.
    In: 2015 73rd Annual Device Research Conference (DRC), 2015-06-01, S. 89-90
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Write error rate in spin-transfer-torque random access memory including micromagnetic effects
    Roy, Urmimala ; Kencke, David L. ; et al.
    In: 2015 73rd Annual Device Research Conference (DRC), 2015-06-01, S. 147-148
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Dual Pillar Spin Transfer Torque MRAM with tilted magnetic anisotropy for fast and error-free switching and near-disturb-free read operations
    Mojumder, Niladri N. ; Gupta, Sumeet K. ; et al.
    In: 69th Device Research Conference, 2011-06-01, S. 67-68
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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