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    Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology
    Han, Zhengsheng ; Zhang, Junjun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-08-01), S. 1660-1667
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    Study of SEU Sensitivity of SRAM-Based Radiation Monitors in 65-nm CMOS
    Leroux, Paul ; Thys, Sam ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), S. 913-920
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    Shunt Regulator for the Serial Powering of the ATLAS CMOS Pixel Detector Modules
    Barrillon, P. ; Pangaud, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-02-01), S. 455-463
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    Transistor Width Effect on the Power Supply Voltage Dependence of α-SER in CMOS 6T SRAM
    Alheyasat, A. ; Torrens, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-05-01), S. 811-817
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    A New Floating-gate Radiation Sensor and Readout Circuit in Standard Single-Poly 130-nm CMOS Technology
    S. M. Rezaul Hasan ; Zhang, Chaoping
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), S. 1906-1915
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    Single-Event Latchup in a CMOS-Based ASIC Using Heavy Ions, Laser Pulses, and Coupled Simulation
    Calvel, Pierre ; Marie, Xavier ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), S. 1516-1522
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    An SRAM-Based Radiation Monitor With Dynamic Voltage Control in 0.18- <tex-math notation='LaTeX'>$\mu$ </tex-math> m CMOS Technology
    Leroux, Paul ; Prinzie, Jeffrey ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), S. 282-289
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    Fixed Pattern Noise and Temporal Noise Degradation Induced by Radiation Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors
    Chen, Wei ; Ma, Wuying ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-06-01), S. 1264-1270
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    A 2.56-GHz SEU Radiation Hard $LC$ -Tank VCO for High-Speed Communication Links in 65-nm CMOS Technology
    Steyaert, Michiel ; Christiansen, Jorgen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), S. 407-412
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    Total Ionizing Dose Radiation-Induced Dark Current Random Telegraph Signal in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors
    Alexandre Le Roch ; Rubaldo, Laurent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), S. 92-100
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    A Compact, Low Jitter, CMOS 65 nm 4.8–6 GHz Phase-Locked Loop for Applications in HEP Experiments Front-End Electronics
    Panati, Serena ; Mazza, Giovanni
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-05-01), S. 1212-1217
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    Design and Characterization of a Low-Noise Front-End Readout ASIC in 0.18- <tex-math notation='LaTeX'>$\mu$ </tex-math> m CMOS Technology for CZT/Si-PIN Detectors
    Gao, W. ; Duan, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-05-01), S. 1203-1211
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    The MONDO Detector Prototype Development and Test: Steps Toward an SPAD-CMOS-Based Integrated Readout (SBAM Sensor)
    Patera, Vincenzo ; Sciubba, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-02-01), S. 744-751
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    A Compact Low-Power Driver Array for VCSELs in 65-nm CMOS Technology
    Zeng, Zhiyao ; Sun, Kexu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-06-01), S. 1599-1604
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    Comparison of a 65 nm CMOS Ring- and LC-Oscillator Based PLL in Terms of TID and SEU Sensitivity
    Prinzie, Jeffrey ; Moreira, Paulo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), S. 245-252
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    Wavelet Analysis of RTS Noise in CMOS Image Sensors Irradiated With High-Energy Photons
    Blouke, Morley M. ; Bodegom, Erik ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), S. 1732-1737
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    A 2D Proof of Principle Towards a 3D Digital SiPM in HV CMOS With Low Output Capacitance
    Rheaume, Vincent-Philippe ; Pratte, Jean-Francois ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-08-01), S. 2293-2299
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    Supply Voltage Dependency on the Single Event Upset Susceptibility of Temporal Dual-Feedback Flip-Flops in a 90 nm Bulk CMOS Process
    Aunet, Snorre ; Hasanbegovic, Amir
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-08-01), S. 1888-1897
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    An Investigation of the SET Response of Devices and Differential Pairs in a 32-nm SOI CMOS Technology
    Lourenco, Nelson E. ; Fleetwood, Zachary E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), S. 2643-2649
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    Radiation-Induced Dose and Single Event Effects in Digital CMOS Image Sensors
    Goiffon, Vincent ; Toulemont, Arthur ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), S. 3331-3340
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