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    Low-voltage solution-processed P-type Mg-doped CuI thin film transistors with NAND logic function
    Jiang, Guanggang ; Dou, Wei ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 122 (2023-05-22)
    Online unknown
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    Molecular beam epitaxy of high-quality CuI thin films on a low temperature grown buffer layer
    Yu, Xiuzhen ; Nakamura, Masao ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 116 (2020-05-11), S. 192105-192105
    Online unknown
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    Valence band offsets for CuI on (-201) bulk Ga2O3 and epitaxial (010) (Al0.14Ga0.86)2O3
    Ren, Fan ; Hays, David C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-10-29), S. 182101-182101
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Temperature dependence of the dielectric function of thin film CuI in the spectral range (0.6–8.3) eV
    Krüger, Evgeny ; Sturm, Chris ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-10-22), S. 172102-172102
    Online unknown
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    Thermoelectric properties of molten Bi2Te3, CuI, and AgI
    Motohiro, Tomoyoshi ; Takeda, Yasuhiko ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 102 (2013-01-21), S. 033903-33903
    Online unknown
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    MoO3/Ag/MoO3 anode in organic photovoltaic cells: Influence of the presence of a CuI buffer layer between the anode and the electron donor
    Makha, Mohammed ; Addou, Mohammed ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 101 (2012-12-03), S. 233307-233307
    Online unknown
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    CuI interlayers in lead phthalocyanine thin films enhance near-infrared light absorption
    Kim, Hyo ; Hyun Hwi Lee ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 100 (2012-06-25), S. 263303-263303
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Organic solar cells with remarkable enhanced efficiency by using a CuI buffer to control the molecular orientation and modify the anode
    Wang, Jin ; Zhao Qi Fan ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 97 (2010-08-23), S. 083305-83305
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Highly efficient and color-tuning electrophosphorescent devices based on CuI complex
    Zhang, Zhiqiang ; Su, Zisheng ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 89 (2006-09-04), S. 103511-103511
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Small valence band offset in (010) InS∕CuI heterojunction diodes
    Konovalov, I. ; Makhova, L.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 91 (2007-07-09), S. 022102-22102
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Correlation between crystal phase composition, wake-up effect, and endurance performance in ferroelectric HfxZr1−xO2 thin films
    Chen, Danyang ; Zhong, Shuman ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 122 (2023-05-22)
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Ferroelectric domain switching pathways—From grain boundary to grain body
    Lou, Xuhui ; Hou, Xu ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 122 (2023-05-22)
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Thermal switch based on ferroelasticity VA-N binary compounds
    Zhang, Yuwen ; Cui, Chunfeng ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 122 (2023-05-01)
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    On the elastodynamic properties of octet truss-based architected metamaterials
    Oudich, Mourad ; Huang, Edward ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 122 (2023-04-24)
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Theoretical prediction of time-related performance of GaN-based p–n junction betavoltaic battery
    Chen, Ziyi ; Lu, Jingbin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 122 (2023-04-24)
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Intelligent autoencoder for space-time-coding digital metasurfaces
    Xiao Qing Chen ; Zhang, Lei ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 122 (2023-04-17)
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Gate-controlled photoresponse improvement in b-AsP/WSe2 heterostructures with type-I band alignment
    Zhao, Feiping ; Wang, Danyang ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 122 (2023-04-10), S. 151105-151105
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Resistive switching properties of monolayer h-BN atomristors with different electrodes
    Li, Yuan ; Cui, Zhenjun ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 120 (2022-04-25)
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Mobile defects as mediated states for charge-carrier trapping in metal halide perovskites quantum dots
    Liu, Xiao-Yi ; Li, Wei-Ping ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 122 (2023-03-27), S. 132102-132102
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Physical-level secure wireless communication using random-signal-excited reprogrammable metasurface
    Wei, Menglin ; Zhao, Hanting ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 122 (2023-01-30), S. 051704-51704
    Online unknown
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