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    Sensing Property of Self-Sensitive Piezoelectric Microcantilever Utilizing Pb(Zr0.52/Ti0.48)O3Thin Film and LaNiO3Oxide Electrode
    Kobayashi, Takeshi ; Maeda, Ryutaro ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 46 (2007-10-22), S. 7073-7078
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    Effect of LaNiO3Top Electrode on the Resistance of Pb(Zr,Ti)O3Ferroelectric Capacitor to Hydrogen Damage and Fatigue
    Lee, Won-Jong ; Kim, Dong-Chun
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 41 (2002-03-15), S. 1470-1476
    Online unknown
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    Fabrication of 100-Oriented (Na0.5K0.5)NbO3–BaZrO3–(Bi0.5Li0.5)TiO3Films on Si Substrate Using LaNiO3Layer
    Komaki, Kazuki ; Fukada, Masaki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 51 (2012-09-01), S. 09LA06
    Online unknown
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    Ferroelectric-Gate Thin-Film Transistor Fabricated by Total Solution Deposition Process
    Bui Nguyen Quoc Trinh ; Shimoda, Tatsuya ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011-04-20), S. 04DD09
    Online unknown
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    Low-Temperature Crystallization of PbZr0.3Ti0.7O3Film Induced by High-Oxygen-Pressure Processing
    Sun, Jinglan ; Dho, Joonghoe ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-09-19), S. 7523-7526
    Online unknown
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    Effect of Film Thickness on Electrical Properties of Chemical Solution Deposition-Derived Pb(ZrxTi1-x)O3/LaNiO3/Si
    Fukazawa, Hiroaki ; Wakiya, Naoki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 46 (2007-10-22), S. 6925-6928
    Online unknown
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    Resistive Switching Properties of SrZrO3-Based Memory Films
    Tseng, Tseung-Yuen ; Jung Sheng Yu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 46 (2007-04-24), S. 2153-2156
    Online unknown
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