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    CMOS-embedded high-power handling RF-MEMS tunable capacitor using quadruple series capacitor and slit with dielectric bridges structure
    Saito, Tomohiro ; Ikehashi, Tamio ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-09-20), S. 1002B6
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    Mechanically and electrically robust metal-mask design for organic CMOS circuits
    Ogasahara, Yasuhiro ; Hiromoto, Masayuki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-02-19), S. 04FL05
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    Active Electrostatic Discharge (ESD) Device for On-Chip ESD Protection in Sub-Quarter-Micron Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS) Process
    Tang Kui Tseng ; Ker, Ming-Dou
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2003-12-19), S. L33- (3S.)
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    Effect of drain-induced barrier lowering on performance of ultralow-supply-voltage CMOS circuits operating in subthreshold region
    Mizutani, Tomoko ; Jung, Seung-Min ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 53 (2014-11-17), S. 124301-124301
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    Nano watt power rail-to-rail CMOS amplifier with adaptive biasing circuits for ultralow-power analog LSIs
    Ozaki, Toshihiro ; Tsubaki, Keishi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 54 (2015-03-27), S. 04DE13
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    Ion image sensors and their application for visualization of neural activity
    Hattori, Toshiaki ; Sawada, Kazuaki
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-09-06), S. 1002A2
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    Evaluation and Resolution for Nonideal Characteristics of Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Devices Fabricated on Silicon-on-Insulator
    Jong Duk Lee ; Park, Byung-Gook ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-06-13), S. 4408-4412
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    Analysis of Random Telegraph Signal Noise in Dual and Single Oxide Device and Its Application to Complementary Metal Oxide Semiconductor Image Sensor Readout Circuit
    Lee, Hochul ; Yoon, Youngchang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-04-25), S. 2602-2605
    Online unknown
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    Stochastic Computing Chip for Measurement of Manhattan Distance
    Iwata, Atsushi ; Ueda, Michihito ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 45 (2006-04-25), S. 3301-3306
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    Twin-bit via resistive random access memory in 16 nm FinFET logic technologies
    Chrong Jung Lin ; Shih, Yi-Hong ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-22), S. 04FE15
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    A compact perspiration meter system with capacitive humidity sensor for wearable health-care applications
    Mitani, Yusuke ; Uekura, T. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-19), S. 04FF10
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    Progress and opportunities in high-voltage microactuator powering technology towards one-chip MEMS
    Mori, Isao ; Morishita, Satoshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-15), S. 04FA05
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    Effect of Etch Stop Layer Stress on Negative Bias Temperature Instability of Deep Submicron p-Type Metal–Oxide–Semiconductor Field Effect Transistors with Dual Gate Oxide
    Chiang, Yen-Ting ; Chen, Ming-Shing ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-04-25), S. 2624-2627
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    Real-Time Variable-Resolution Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors Image Sensor
    Chrong Jung Lin ; King, Ya-Chin ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-04-25), S. 2756-2760
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    Experimental Study of Effective Carrier Mobility of Multi-Fin-Type Double-Gate Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors with (111) Channel Surface Fabricated by Orientation-Dependent Wet Etching
    Endo, Kazuhiko ; Matsukawa, Takashi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 45 (2006-04-25), S. 3084-3087
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    Lower Boundary of Supply Voltage in Digital ULSI Based on the Communication Theory
    Nakase, Hiroyuki ; Sagitani, Tsuyoshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 42 (2003-10-01), S. L1133- (3S.)
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    Proposal of Application of Pulsed Vision Chip for Retinal Prosthesis
    Kagawa, Keiichiro ; Ohta, Jun ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 41 (2002-04-30), S. 2322-2325
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    Improvements of low-detection-limit filter-free fluorescence sensor developed by charge accumulation operation
    Moriwaki, Yu ; Tanaka, Kiyotsugu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-03-27), S. 04CM09
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    Investigation of parasitic resistance and capacitance effects in nanoscaled FinFETs and their impact on static random-access memory cells
    Chrong Jung Lin ; King, Ya-Chin ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-03-13), S. 04CD11
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    Capacitor-Shunted Transmitter for Power Reduction in Inductive-Coupling Clock Link
    Miura, Noriyuki ; Kumar, Amit ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-04-25), S. 2749-2751
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