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    InP-based high-speed monolithic PIN photodetector integrated with an MQW semiconductor optical amplifier
    Xiao, Fan ; Wang, Shuai ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 61 (2022), S. 012005-12005
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    NEAR FIELD AND FAR FIELD EFFECTS IN THE TAGUCHI-OPTIMIZED DESIGN OF AN InP/GaAs-BASED DOUBLE WAFER-FUSED MQW LONG-WAVELENGTH VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASER
    Apte, P. R. ; Menon, P. S. ; et al.
    In: IndraStra Global, 2012
    Online unknown
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    Magnetic-induced PL modulation of InGaN/GaN MQWs by a CoFeB ferromagnetic cap layer
    He, Yingfeng ; Qiu, Peng ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 58 (2019-05-20), S. SCCC24
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    Can we always control the thickness layer in the MBE method with atomic precision? Analysis of the problem on the MQWs GaN/AlN example
    Borysiuk, Jolanta ; Sobczak, Kamil
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 58 (2019-04-08), S. 050901-50901
    Online unknown
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    VARIATION OF MQW DESIGN PARAMETERS IN A <font>GaAs/InP</font>-BASED LW-VCSEL AND ITS EFFECTS ON THE SPECTRAL LINEWIDTH
    Shaari, Sahbudin ; Kandiah, K. ; et al.
    In: Journal of Nonlinear Optical Physics & Materials, Jg. 19 (2010-06-01), S. 209-217
    Online unknown
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    Dynamical behaviour of photo-excited and voltage biased MQW structures with bistable electro-optical absorption
    Velasco, C. A. ; Kochelap, V. A. ; et al.
    In: Journal of Optics B: Quantum and Semiclassical Optics, Jg. 1 (1999), S. 84-89
    Online unknown
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    The role of surface diffusion and wing tilt in the formation of localized stacking faults in high In-content InGaN MQW nanostructures
    P. Daniel Dapkus ; Nakajima, Yoshitake
    In: Applied Physics Letters, Jg. 109 (2016-08-22), S. 083101-83101
    Online unknown
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    Positive temperature coefficient of photovoltaic efficiency in solar cells based on InGaN/GaN MQWs
    Yang, Xuelin ; Ge, Weikun ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 109 (2016-08-08), S. 062104-62104
    Online unknown
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    Fabrication and modulation characteristics of InGaAsP/InGaAsP MQW DCPBH lasers at λ∼1.57 μm
    Park, S. S. ; Park, S.W. ; et al.
    In: Applied Physics B, Jg. 92 (2008-07-23), S. 643-643
    Online unknown
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    Volltext (PDF)
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    Extended X-ray Absorption Fine Structure investigation on buried InAsP/InP interfaces
    Schiavini, G. M. ; Boscherini, Federico ; et al.
    1994
    Online unknown
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    Blue resonant cavity light emitting diodes with a high-Al-content GaN/AlGaN distributed Bragg reflector
    Damilano, Benjamin ; Massies, Jean ; et al.
    Online unknown
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    Deep ultraviolet emission from multiple quantum wells on flat N-polar AlN templates fabricated using periodical pulsed H2 etching
    Ito, Tadatoshi ; Ishikawa, Yukari ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 60 (2021-11-01), S. 125502-125502
    Online unknown
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    Ge/SiGe multiple quantum well fabrication by reduced-pressure chemical vapor deposition
    Scuderi, Mario ; Yamamoto, Yuji ; et al.
    2020
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    Low-threshold strain-compensated InGaAs/(In,Al)GaAs multi-quantum well nanowire lasers emitting near 1.3 μm at room temperature
    Thurn, Andreas ; Koblmüller, Gregor ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 118 (2021-05-31), S. 221103-221103
    Online unknown
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    Blue (In,Ga)N Light-Emitting Diodes with Buried n+-p+ Tunnel Junctions by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
    Cho, YongJin ; Jahn, Uwe ; et al.
    2018
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    GaN/AlGaN multiple quantum wells grown on transparent and conductive (-201)-oriented β-Ga2O3 substrate for UV vertical light emitting devices
    Lorenz, Katharina ; Roqan, Iman S. ; et al.
    2018
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Color-tunable <10 μm square InGaN micro-LEDs on compliant GaN-on-porous-GaN pseudo-substrates
    Ley, Ryan ; Keller, Stacia ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-08-10), S. 061105-61105
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Device quality templates of InxGa1−xN (x < 0.1) with defect densities comparable to GaN
    El-Masry, Nadia A. ; Routh, Evyn L. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-08-03), S. 052103-52103
    Online unknown
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    Controlled bunching approach for achieving high efficiency active region in AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting devices with dual-band emission
    Sun, Yuanhao ; Shen, Bo ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 116 (2020-05-26), S. 212102-212102
    Online unknown
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    Direct observation of charge accumulation in quantum well solar cells by cross-sectional Kelvin probe force microscopy
    Fujita, Daisuke ; Ishida, Nobuyuki ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 116 (2020-04-20), S. 163501-163501
    Online unknown
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