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    Measurement of electromagnetic field immunity of voltage-controlled oscillator-based analog-to-digital converters in 28 nm CMOS technology
    Sonoda, Hiroki ; Miki, Takuji ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 61 (2022-05-01), S. SC1045
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    Experimental demonstration of high-gain CMOS inverter operation at low V dd down to 0.5 V consisting of WSe2 n/p FETs
    Muneta, Iriya ; Kawanago, Takamasa ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 61 (2022-02-07), S. SC1004
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    CMOS-embedded high-power handling RF-MEMS tunable capacitor using quadruple series capacitor and slit with dielectric bridges structure
    Saito, Tomohiro ; Ikehashi, Tamio ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-09-20), S. 1002B6
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    CMOS integration of high-k/metal gate transistors in diffusion and gate replacement (D&GR) scheme for dynamic random access memory peripheral circuits
    Ercken, M. ; Thiam, A. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-16), S. 04FB08
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    Design trade-off between spatial resolution and power consumption in CMOS biosensor circuit based on millimeter-wave LC oscillator array
    Nakazato, Kazuo ; Niitsu, Kiichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-01-25), S. 03EC02
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    Theoretical analysis and simulation study of low-power CMOS electrochemical impedance spectroscopy biosensor in 55 nm deeply depleted channel technology for cell-state monitoring
    Niitsu, Kiichi ; Nakazato, Kazuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2017-11-09), S. 01AG02
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    Active Electrostatic Discharge (ESD) Device for On-Chip ESD Protection in Sub-Quarter-Micron Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS) Process
    Tang Kui Tseng ; Ker, Ming-Dou
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2003-12-19), S. L33- (3S.)
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    III–V/Ge channel MOS device technologies in nano CMOS era
    Kim, Sanghyeon ; Nishi, Koichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 54 (2015-05-07), S. 06FA01
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    Postfabrication Independent Inductance and Quality Factor Adjustments of On-Chip Inductors by Above-CMOS Processing for Rapid Prototyping of Radio Frequency System on Chips
    Kotani, Koji ; Sasaki, Y.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 51 (2012-04-01), S. 04DE06
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    A fully on-chip three-terminal switched-capacitor DC–DC converter for low-voltage CMOS LSIs
    Numa, Masahiro ; Tsubaki, Keishi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-03-16), S. 04EF09
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    High Packing Density, High Speed CMOS (Hi-CMOS) Device Technology
    Hashimoto, N. ; Sakai, Yoshio ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 18 (1979), S. 73-73
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    An Isolation Structure and Layout of the Buried-Oxide CMOS-IC
    Sakurai, Junji
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 18 (1979), S. 45-45
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    A Logarithmic Response Complementary Metal Oxide Semiconductor Image Sensor with Parasitic P–N–P Bipolar Junction Transistor
    Lai, Liang−Wei ; Chiang, Wen−Jen ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 45 (2006-04-25), S. 3251-3255
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    Analysis of back-gate effect on threshold voltage of p-channel GaN MOSFETs on polarization-junction substrates
    Tsutsui, Kazuo ; Wakabayashi, Hitoshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 58 (2019-06-01), Heft No. 6, S. 061006-61006
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    Evaluation and Resolution for Nonideal Characteristics of Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Devices Fabricated on Silicon-on-Insulator
    Jong Duk Lee ; Park, Byung-Gook ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-06-13), S. 4408-4412
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    A Capacitive Sensing Scheme for Control of Movable Element with Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Microelectoromechanical-Systems Device
    Morimura, Hiroki ; Kuwabara, Kei ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-05-16), S. 3418-3422
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    Analysis of Random Telegraph Signal Noise in Dual and Single Oxide Device and Its Application to Complementary Metal Oxide Semiconductor Image Sensor Readout Circuit
    Lee, Hochul ; Yoon, Youngchang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-04-25), S. 2602-2605
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    Device Design and Scalability of a Double-Gate Tunneling Field-Effect Transistor with Silicon–Germanium Source
    Samudra, Ganesh S. ; Heng, Chun-Huat ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-04-25), S. 2593-2597
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    Evaluation of Digital Crosstalk Noise on Differential Input Voltage Controlled Oscillator
    Ohmoto, Takafumi ; Iwata, Atsushi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-04-25), S. 2742-2745
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    Impact of SiN on Performance in Novel Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Architecture Using Substrate Strained-SiGe and Mechanical Strained-Si Technology
    Chung Yi Wu ; San Lein Wu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 46 (2007-05-08), S. 2882-2886
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