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    Influences of Multiquantum Barriers on Carrier Recombination in InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well Light-Emitting Diodes
    Nee, Tzer-En ; Shih, Y. T. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 46 (2007-04-24), S. 2413-2417
    Online unknown
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    Novel GaAs Metal–Semiconductor Field-Effect Transistors with InGaP/GaAs Multiple Quantum Barrier Capping and Buffer Layers
    Lee, Hsin-Ying ; Lee, Ching-Ting ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 41 (2002-10-15), S. 5937-5940
    Online unknown
    Zugriff:
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    High-power GaN-based blue-violet laser diodes with AlGaN∕GaN multiquantum barriers
    Lee, Sung-Nam ; Cho, S. Y. ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 88, issue 11 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 2006
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thermionic emission perpendicular to bulk and multiquantum AlxGa1−xInP barriers
    Chróinín, J. Ní ; Morrison, A. P.
    In: Applied Physics Letters ; volume 88, issue 14 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 2006
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    AlGaInP laser diodes incorporating a 3λ∕4 multiple quantum barrier
    Sobiesierski, A. ; Sandall, I. C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 86, issue 2 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 2004
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Suppression of electron and hole leakage in 1.3 μm AlGaInAs/InP quantum well lasers using multiquantum barrier
    Jen Wei Pan ; Chyi, Jen-Inn ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 72 (1998-04-27), S. 2090-2092
    Online unknown
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    A quantum structure for high‐temperature operation of AlGaAs lasers: Multiple‐quantum barrier and multiple‐quantum well in active region
    Onda, Shouichi ; Kachi, Tetsu ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 68 (1996-06-24), S. 3704-3706
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Sidegating effect improvement of GaAs metal–semiconductor field effect transistor by multiquantum barrier structure
    Shiao, Hung-Pin ; Lee, Ching-Ting ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 67 (1995-10-02), S. 2046-2048
    Online unknown
    Zugriff:
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    Carrier confinement by multiple quantum barriers in 1.55 μm strained GaInAs/AlGaInAs quantum well lasers
    Hirayama, Y. ; Nishikata, Kazuaki ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 66 (1995-04-17), S. 2025-2027
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Improvement of multiquantum‐barrier effect by layer‐thickness modulation
    Endo, Kenji ; Hotta, Hitoshi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 64 (1994-06-20), S. 3479-3481
    Online unknown
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    Enhancement of electron‐wave reflection by superlattices with multiple stacks of multiquantum barriers
    Liu, D. C. ; Yen, S. T. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 64 (1994-02-28), S. 1108-1110
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Investigations on the performance of multiquantum barriers in short wavelength (630 nm) AlGaInP laser diodes
    Raisch, P. ; Winterhoff, R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 74, issue 15, page 2158-2160 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 1999
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Electron‐wave reflection by multi‐quantum barrier inn‐GaAs/i‐AlGaAs/n‐GaAs tunneling diode
    Koyama, Fumio ; Takagi, Takeshi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 59 (1991-11-25), S. 2877-2879
    Online unknown
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    Enhanced carrier confinement effect by the multiquantum barrier in 660 nm GaInP/AlInP visible lasers
    Kaneko, Y. ; Kikuchi, A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 58 (1991-04-29), S. 1822-1824
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Suppression of electron and hole leakage in 1.3 μm AlGaInAs/InP quantum well lasers using multiquantum barrier
    Pan, Jen-Wei ; Chau, Ken-Gi ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 72, issue 17, page 2090-2092 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 1998
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A quantum structure for high-temperature operation of AlGaAs lasers: Multiple-quantum barrier and multiple-quantum well in active region
    Kumar, Rajesh ; Onda, Shouichi ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 68, issue 26, page 3704-3706 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 1996
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Carrier confinement by multiple quantum barriers in 1.55 μm strained GaInAs/AlGaInAs quantum well lasers
    Fukushima, T. ; Shimizu, H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 66, issue 16, page 2025-2027 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 1995
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Sidegating effect improvement of GaAs metal–semiconductor field effect transistor by multiquantum barrier structure
    Lee, Ching-Ting ; Tsai, Chang-Da ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 67, issue 14, page 2046-2048 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 1995
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Origin of InGaN light-emitting diode efficiency improvements using chirped AlGaN multi-quantum barriers
    Piprek, Joachim ; Z. M. Simon Li
    In: Applied Physics Letters, Jg. 102 (2013-01-14), S. 023510-23510
    Online unknown
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    Effect of multiquantum barriers in performance enhancement of GaN-based light-emitting diodes
    Z. M. Simon Li ; Li, Z. Q. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 102 (2013-01-07), S. 013507-13507
    Online unknown
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