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    HWE growth and evaluation of CdTe epitaxial films on GaAs
    WANG, J. F ; KIKUCHI, K ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 187 (1998), Heft 3-4, S. 373-379
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Crystal structure and electrical parameters of In-doped PbTe/Si films prepared by modified HWE technique
    SAMOYLOV, A. M ; KHOVIV, A. M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 254 (2003), Heft 1-2, S. 55-64
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Strain in the HWE-grown ZnTe/(100) GaAs hetero-interface
    KIM, B. J ; WANG, J. F ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 235 (2002), Heft 1-4, S. 201-206
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Modified hot wall epitaxy (HWE) apparatus and preparation of ZnSxSe1-x films
    QINGJU, MENG ; BAIJUN, CHEN ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 121 (1992), Heft 1-2, S. 191-196
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A twinned PbTe film induced by the 7 × 7 reconstruction of Si(111)
    CHEN, H. Y ; DONG, S. S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 273 (2004), Heft 1-2, S. 156-160
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Characterizations of arsenic-doped zinc oxide films produced by atmospheric metal-organic chemical vapor deposition
    WENG, Li-Wei ; UEN, Wu-Yih ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 277 (2013), S. 1-6
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The strength of composite bonded T-joints transversely reinforced by carbon pins
    PARK, Yong-Bin ; LEE, Byeong-Hee ; et al.
    In: Composite structures, Jg. 94 (2012), Heft 2, S. 625-634
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Failure behaviour of foam-based sandwich joints under pull-out testing
    NGUYEN, Khanh-Hung ; PARK, Yong-Bin ; et al.
    In: Composite structures, Jg. 94 (2012), Heft 2, S. 617-624
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Failure load evaluation and prediction of hybrid composite double lap joints
    LEE, Young-Hwan ; LIM, Do-Wan ; et al.
    In: Composite structures, Jg. 92 (2010), Heft 12, S. 2916-2926
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Heteroepitaxial growth of GaAs on Si by MOVPE using a-GaAs/a-Si double-buffer layers
    UEN, Wu-Yih ; LI, Zhen-Yu ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 295 (2006), Heft 2, S. 103-107
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Growth and characterization of CuAlSe2(112)/GaAs(100) heteroepitaxial layers grown by hot wall epitaxy method
    YOU, S. H ; HONG, K. J ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 290 (2006), Heft 1, S. 18-23
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Hot wall epitaxy of high-quality CdTe/Si(111)
    LALEV, Georgi M ; JIFENG, WANG ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 256 (2003), Heft 1-2, S. 20-26
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Structural relationship between epitaxially grown para-sexiphenyl and mica (001) substrates
    PLANK, H ; RESEL, R ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 3, Jg. 237-39 (2002), S. 2076-2081
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    The deviation from a stoichiometry and the amphoteric behaviour of Ga in PbTe/Si films
    SAMOYLOV, A. M ; BELENKO, S. V ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 351 (2012), Heft 1, S. 149-154
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    The 60° or 180° twinned Bi-doped PbTe film studied by EBSD
    REN, S. Y ; YANG, Y. K ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 257 (2010), Heft 1, S. 271-275
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Modification of para-sexiphenyl layer growth by UV induced polarity changes of polymeric substrates
    HERNANDEZ-SOSA, G ; SIMBRUNNER, C ; et al.
    In: Organic electronics (Print), Jg. 10 (2009), Heft 2, S. 326-332
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Improvement of the structural and electrical properties of InAsSb epilayer using Sb-rich InAsSb buffer layer grown by hot wall epitaxy
    NAKAMURA, S ; JAYAVEL, P ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 280 (2005), Heft 1-2, S. 26-31
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Growth and strain investigation of Cd0.96Zn0.04Te/GaAs by hot-wall epitaxy
    KIM, B. J ; WANG, J. F ; et al.
    In: Materials chemistry and physics, Jg. 80 (2003), Heft 3, S. 581-585
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Mechanisms of spiral growth in Bi2Te3 thin films grown by the hot-wall-epitaxy technique
    FERHAT, Marhoun ; TEDENAC, Jean Claude ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 218 (2000), Heft 2-4, S. 250-258
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    GaAs substrate thermal preheating effect exerted on ZnTe epilayer
    SUNGUN, NAM ; YU, Y.-M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 212 (2000), Heft 3-4, S. 416-422
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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