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    Intrinsic stress in diamond films prepared by microwave plasma CVD
    WINDISCHMANN, H ; EPPS, G. F ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 69 (1991), Heft 4, S. 2231-2237
    Online academicJournal
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    Surface reaction kinetics of gas-phase diamond growth
    KONDOH, E ; OHTA, T ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 73 (1993), Heft 6, S. 3041-3046
    Online academicJournal
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    Interface characterization of chemically vapor deposited diamond on titanium and Ti-6Al-4V
    PERRY, S. S ; AGER, J. W ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 74 (1993), Heft 12, S. 7542-7550
    Online academicJournal
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    High temperature characterization of the GaCl3/SiH4/H2 chemical vapor deposition reaction mixture
    ALFANO, A. J ; BENARD, D. J
    In: Journal of applied physics, Jg. 73 (1993), Heft 5, S. 2530-2534
    Online academicJournal
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    Effects of plasma and/or 193 nm excimer-laser irradiation in chemical-vapor deposition of boron films from B2H6+He
    KOMATSU, S ; KASAMATSU, M ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 71 (1992), Heft 11, S. 5654-5664
    Online academicJournal
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    Low energy ion implantation and electrochemical separation of diamond films
    MARCHYWKA, M ; PEHRSSON, P. E ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 25, S. 3521-3523
    Online academicJournal
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    Ge segregation in SiGe/Si heterostructures and its dependence on deposition technique and growth atmosphere
    GRÜTZMACHER, D. A ; SEDGWICK, T. O ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 18, S. 2531-2533
    Online academicJournal
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    Combustion chemical vapor deposition : a novel thin-film deposition technique
    HUNT, A. T ; CARTER, W. B ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 2, S. 266-268
    Online academicJournal
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    Study of defects in silicon dioxide films on Si(100) by a variable-energy positron beam
    FUJINAMI, M ; CHILTON, N. B ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 74 (1993), Heft 9, S. 5406-5409
    Online academicJournal
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    Properties of hydrogenated amorphous silicon prepared by alternatively repeating chemical-vapor deposition from disilane and hydrogen plasma treatment
    SAKATA, I ; YAMANAKA, M ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 74 (1993), Heft 4, S. 2543-2549
    Online academicJournal
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    In situ infrared reflection and transmission absorption spectroscopy study of surface reactions in selective chemical-vapor deposition of tungsten using WF6 and SiH4
    KOBAYASHI, N ; NAKAMURA, Y ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 73 (1993), Heft 9, S. 4637-4643
    Online academicJournal
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    Heteroepitaxially grown diamond on a c-BN {111} surface
    LONG, WANG ; PIROUZ, P ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 10, S. 1336-1338
    Online academicJournal
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    Free-standing single-crystalline chemically vapor deposited diamond films
    TZENG, Y ; WEI, J ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 16, S. 2216-2218
    Online academicJournal
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    Homoepitaxial growth of diamond thin films by electron cyclotron-resonance microwave plasma chemical-vapor-deposition apparatus with CO/H2 gaseous source
    KOMORI, M ; MAKI, T ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 6, S. 582-584
    Online academicJournal
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    Formation of compositionally uniform tungsten silicide films using dichlorosilane in a single-wafer reactor
    TELFORD, S. G ; EIZENBERG, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 15, S. 1766-1768
    Online academicJournal
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    Tungsten deposition on GaAs using WF6 and atomic hydrogen
    VAN MAAREN, A. J. P ; SINKE, W. C
    In: Journal of applied physics, Jg. 73 (1993), Heft 4, S. 1989-1992
    Online academicJournal
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    Transfer of excess charge carriers in an a-Si:H/crystalline-silicon heterojunction measured during the growth of the amorphous silicon layer
    NEITZERT, H. C ; HIRSCH, W ; et al.
    In: Physical review. B, Condensed matter, Jg. 48 (1993), Heft 7, S. 4481-4486
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    The evolution of growth stresses in chemical vapor deposited tungsten films studied by in situ wafer curvature measurements
    LEUSINK, G. J ; OOSTERLAKEN, T. G. M ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 74 (1993), Heft 6, S. 3899-3910
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    Temperature dependent mobility in single-crystal and chemical vapor-deposited diamond
    PAN, L. S ; KANIA, D. R ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 73 (1993), Heft 6, S. 2888-2894
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    Temperature dependence of species concentrations near the substrate during diamond chemical vapor deposition
    CORAT, E. J ; GOODWIN, D. G
    In: Journal of applied physics, Jg. 74 (1993), Heft 3, S. 2021-2029
    Online academicJournal
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