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    Free-standing single-crystalline chemically vapor deposited diamond films
    TZENG, Y ; WEI, J ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 16, S. 2216-2218
    Online academicJournal
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    Homoepitaxial growth of diamond thin films by electron cyclotron-resonance microwave plasma chemical-vapor-deposition apparatus with CO/H2 gaseous source
    KOMORI, M ; MAKI, T ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 6, S. 582-584
    Online academicJournal
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    Ultraviolet photon induced stimulation of surface reaction during growth of hydrogenated amorphous silicon : estimation of the lifetime of film precursors
    SUZUKI, A ; GAUTAM, GANGULY ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 20, S. 2806-2808
    Online academicJournal
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    Nucleation and growth of hydrogenated amorphous silicon-carbon alloys : effect of hydrogen dilution in plasma-enhanced chemical vapor deposition
    YIWEI, LU ; ILSIN, AN ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 16, S. 2228-2230
    Online academicJournal
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    Emission spectroscopy during direct-current-biased, microwave-plasma chemical vapor deposition of diamond
    SHIGESATO, Y ; BOEKENHAUER, R. E ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 3, S. 314-316
    Online academicJournal
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    Electron cyclotron resonance chemical vapor deposition of silicon oxynitrides using tris(dimethylamino)silane
    BOUDREAU, M ; BOUMERZOUG, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 22, S. 3014-3016
    Online academicJournal
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    Deposition of TiN using tetrakis(dimethylamido)-titanium in an electron-cyclotron-resonance plasma process
    WEBER, A ; NIKULSKI, R ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 3, S. 325-327
    Online academicJournal
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    Compositional control of PbTiO3 thin films by plasma enhanced metalorganic chemical vapor deposition
    WON GYU, LEE ; SEONG IHL, WOO ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 18, S. 2511-2513
    Online academicJournal
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    Device-quality copper using chemical vapor deposition of β-diketonate source precursors in liquid solution
    BO, ZHENG ; EISENBRAUN, E. T ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 18, S. 2175-2177
    Online academicJournal
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    Selective Si epitaxial growth by plasma-enhanced chemical vapor deposition at very low temperature
    BAERT, K ; DESCHEPPER, P ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 4, S. 442-444
    Online academicJournal
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    Organometallic vapor-phase homoepitaxy of gallium arsenide assisted by a downstream hydrogen afterglow plasma in the growth region
    PIHLSTROM, B. G ; SHENG, T. Y ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 25, S. 3144-3146
    Online academicJournal
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    Electron cyclotron resonance plasma-enhanced filament-assisted diamond growth
    TSAI, W ; REYNOLDS, G. J ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 12, S. 1444-1446
    Online academicJournal
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    Epitaxial silicon deposition at 300°C with remote plasma processing using SiH4/H2 mixtures
    HATTANGADY, S. V ; POSTHILL, J. B ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 3, S. 339-341
    Online academicJournal
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    In situ observations of optical emission spectra in the diamond deposition environment of arc discharge plasma chemical vapor deposition
    FANGQING, ZHANG ; YAFEI, ZHANG ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 57 (1990), Heft 14, S. 1467-1469
    Online academicJournal
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    Record low SiO2/Si interface state density for low temperature oxides prepared by direct plasma-enhanced chemical vapor deposition
    CHEN, Z ; YASUTAKE, K ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 15, S. 2117-2119
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Oriented nucleation and growth of diamond films on β-SiC and Si
    KOHL, R ; WILD, C ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 13, S. 1792-1794
    Online academicJournal
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    Diamond deposition from CF4-H2 mixed gas by microwave plasma
    KADONO, M ; INOUE, T ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 7, S. 772-773
    Online academicJournal
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    Preparation of Y-Ba-Cu-O high Tc superconducting thin films by plasma-assisted organometallic chemical vapor deposition
    AI, G. R ; TAO, W ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 55 (1989), Heft 2, S. 194-196
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    Plasma-enhanced chemical vapor deposited HgTe-CdTe epitaxial superlattices
    WILLIAMS, L. M ; LU, P.-Y ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 54 (1989), Heft 14, S. 1329-1331
    Online academicJournal
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    Low-temperature deposition of diamond films for optical coatings
    ONG, T. P ; CHANG, R. P. H
    In: Applied physics letters, Jg. 55 (1989), Heft 20, S. 2063-2065
    Online academicJournal
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