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    Comparison of Thermal and Plasma-Enhanced ALD/CVD of Vanadium Pentoxide.
    Musschoot, J. ; Deduytsche, D. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 156 (2009-07-01), Heft 7, S. P122- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Comparative Study of Cu-CVD Seed Layer Deposition on Ru and Ta Underlayers.
    Kim, Hoon ; Shimogaki, Yukihiro
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 154 (2007), Heft 1, S. G13- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Correlation Between Composition and Stress for High Density Plasma CVD Silicon Nitride Films.
    Sah, R. E. ; Baumann, H. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 157 (2010-02-01), Heft 2, S. G33- (6S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Copper Barrier Properties of Low Dielectric Constant SiOCNH Film Deposited by Plasma-Enhanced CVD
    Ishimaru, Tomomi ; Ohdaira, Toshiyuki ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 151 (2003-12-09), S. C56- (6S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Energy Considerations in the Deposition of High‐Quality Plasma‐Enhanced CVD Silicon Dioxide
    Batey, J. ; Tierney, E. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 138 (1991-12-01), S. 3723-3726
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    The Effects of Dilution Gas and Pressure on the Properties of PE-CVD Low-k Film
    Ikakura, Hiroshi ; Shioya, Yoshimi ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 150 (2003), S. F1
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Comparative Study of Cu-CVD Seed Layer Deposition on Ru and Ta Underlayers.
    Kim, Hoon ; Shimogaki, Yukihiro
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 154 (2007), Heft 1, S. G13- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The Effects of Dilution Gas and Pressure on the Properties of PE-CVD Low-k Film.
    Shioya, Yoshimi ; Kotake, Yuichiro ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 150 (2003-02-01), Heft 2, S. F1- (6S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Copper Barrier Properties of Low Dielectric Constant SiOCNH Film Deposited by Plasma-Enhanced CVD.
    Shioya, Yoshimi ; Ishimaru, Tomomi ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), Heft 1, S. C56- (6S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Energy considerations in the deposition of high-quality plasma-enhanced CVD silicon dioxide.
    Chapple-Sokol, J. D. ; Pliskin, W. A. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 138 (1991-12-01), S. 3723-3726
    academicJournal
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    Raman investigations on diamond films and crystals deposited by plasma-assisted CVD.
    Bou, P. ; Vandenbulcke, L.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 138 (1991-10-01), S. 2991-3000
    academicJournal
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    Type of Plasmas and Microstructures of TiO[sub 2] Thin Films Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
    Cotrino, José ; Borras, Ana ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 154 (2007), S. P152
    Online unknown
    Zugriff:
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    Evaluation of an Empirical Model to Estimate and Optimize Mechanical Properties of PECVD SiC Films
    Visser, Cassan C. C. ; Pham, Hoa T. M. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 152 (2005), S. G889
    Online unknown
    Zugriff:
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    Properties of Ge Films Grown Through Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition on SiO2 Substrates.
    Yang, Ming-Jui ; Chien, Chao-Sin ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 155 (2008-06-01), Heft 6, S. H363- (6S.)
    academicJournal
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    Hard and High-Temperature-Resistant Silicon Carbonitride Coatings Based on N-Silyl-Substituted Cyclodisilazane Rings.
    Wrobel, A. M. ; Blaszczyk-Lezak, I. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 155 (2008-04-01), Heft 4, S. K66- (11S.)
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Influence of RF Bias on Hydrogenated Amorphous Silicon by High-Density Plasma Chemical Vapor Deposition.
    Hsiao, Wen-Chu ; Liu, Chuan-Pu ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 154 (2007-05-01), Heft 5, S. G122- (5S.)
    academicJournal
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    Analysis of Pore and Pore-Related Properties in Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Low Dielectric Constant Films.
    Shioya, Yoshimi ; Maeda, Kazuo ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 149 (2002-09-01), Heft 9, S. F103- (7S.)
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Control of plasma damage to gate oxide during high density plasma chemical vapor deposition.
    Bothra, Subhas ; Gabriel, Calvin T. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 142 (1995-11-01), S. L208- (4S.)
    academicJournal
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