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    Integration of III-V and Si CMOS Devices by Molecular Beam Epitaxy : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Lubyshev, D. ; Fastenau, J. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 295-308
    Konferenz
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    III-V/Ge Channel Engineering for Future CMOS : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Wistey, M. ; Singisetti, U. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 361-374
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CMOS Scaling Beyond 22 nm Node : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Sadana, D. ; Bedell, S.W. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 267-274
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ge/III-V Channel Engineering for Future CMOS : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Takagi, S. ; Sugiyama, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 9-20
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Emerging Devices Based on Spin Transfer Torque Effect : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Heindl, R. ; Rippard, W.H.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 21-34
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Epitaxial Graphene Growth on SiC Wafers : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Gaskill, D.K. ; Jernigan, G. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 117-124
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Electrical Properties of III-V/Oxide Interfaces : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Brammertz, G. ; Lin, H. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 375-386
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    InGaAs MOSCAPs and Self-Aligned Inversion-channel MOSFETs with Al2O3/Ga2O3(Gd2O3) as a Gate Dielectric : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Lin, T. ; Chiu, H. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 351-360
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Improvement of Morphology and Free Carrier Mobility through Argon-Assisted Growth of Epitaxial Graphene on Silicon Carbide : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Tedesco, J.L. ; VanMil, B. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 137-152
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Inter-band Tunnel Transistor Architecture using Narrow Gap Semiconductors : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Mookerjea, S. ; Krishnan, R. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 287-294
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Can Graphene be an Electrode Support for Pt in Formic Acid Electrooxidation? : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Murugesan, S. ; Myers, K. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 249-258
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Surface Studies of III-V Materials: Oxidation Control and Device Implications : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Hinkle, C. ; Milojevic, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 387-404
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Graphene as a Permeable Ionic Barrier : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Sreevatsa, S. ; Banerjee, A. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 259-266
    Konferenz
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    Large-grained and Highly-ordered Graphene Synthesized by Radio Frequency Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Woo, Y. ; Kim, D. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 111-116
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Atomic-Layer-Deposited Al2O3 as Gate Dielectrics for Graphene-Based Devices : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Lee, B. ; Mordi, G. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 225-232
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Supramolecular Functionalization of Graphene : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Yang, W. ; Grennberg, H.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 211-214
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Low Temperature Graphene Growth : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Kumar, S. ; McEvoy, N. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 175-184
    Konferenz
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    Carbon Nanomaterials Standards Efforts at NIST : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Fagan, J.A.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 153-160
    Konferenz
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    Monolithic III-V/Si Integration : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Fitzgerald, E. ; Bulsara, M.T. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 345-350
    Konferenz
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    Review of Current Status of III-V MOSFETs : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Thayne, I. ; Hill, R. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 275-286
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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