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    Ka-band time-domain multiplexing front-end with minimum switch area utilization on 22 nm fully depleted silicon-on-insulator CMOS technology.
    Hietanen, Mikko ; Rusanen, Jere ; et al.
    In: International Journal of Microwave & Wireless Technologies, Jg. 13 (2021-09-01), Heft 7, S. 641-651
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Ka-band time-domain multiplexing front-end with minimum switch area utilization on 22 nm fully depleted silicon-on-insulator CMOS technology
    Hietanen, M. (Mikko) ; Rusanen, J. (Jere) ; et al.
    2021
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    GaN transistor characterization and modeling activities performed within the frame of the KorriGaN project.
    Reveyrand, Tibault ; Ciccognani, Walter ; et al.
    In: International Journal of Microwave & Wireless Technologies, Jg. 2 (2010), Heft 1, S. 51-61
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Ka-band time-domain multiplexing front-end with minimum switch area utilization on 22 nm fully depleted silicon-on-insulator CMOS technology
    Aikio, Janne P. ; Hietanen, Mikko ; et al.
    2021
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Design and realization of GaN RF-devices and circuits from 1 to 30 GHz.
    Kühn, Jutta ; Musser, Markus ; et al.
    In: International Journal of Microwave & Wireless Technologies, Jg. 2 (2010), Heft 1, S. 115-120
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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