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    A compact, 36 to 72 GHz 15.8 dBm power amplifier with 66.7% fractional bandwidth in 45 nm SOI CMOS.
    Tai, Wei ; Ricketts, David S.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 56 (2014), Heft 1, S. 166-169
    Online academicJournal
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    Dual‐band filtering power amplifier with extended passband bandwidths and wide stopband rejection.
    Dong, Gaoya ; Yang, Xiaolong ; et al.
    In: IET Microwaves, Antennas & Propagation (Wiley-Blackwell), Jg. 17 (2023-07-15), Heft 9, S. 749-757
    Online academicJournal
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    Design of a dual‐band power amplifier over an octave bandwidth employing dual‐band resonators.
    Liu, Jinting ; Liu, Chong ; et al.
    In: International Journal of Numerical Modelling, Jg. 37 (2024-03-01), Heft 2, S. 1-9
    Online academicJournal
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    An improved impedance space for extended hybrid continuous mode power amplifiers.
    Hao, Peng ; Shen, Ce ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 66 (2024), Heft 1, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Wideband high‐efficiency extended continuous Class F power amplifier using a new wideband bandstop network.
    Jia, Minshi ; Cheng, Zhiqun ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 64 (2022-11-01), Heft 11, S. 1965-1971
    Online academicJournal
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    A millimeter‐wave broadband power amplifier with a tree‐like transistor structure using 0.15‐μm GaAs technology.
    Guo, Letian ; Huang, Wenhua ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 65 (2023-11-01), Heft 11, S. 2863-2868
    Online academicJournal
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    A 27‐33 GHz compact medium power amplifier with pole‐tuning technique in 130 nm CMOS technology.
    Quan, Xing ; Luo, Jiang
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 63 (2021), Heft 1, S. 139-145
    Online academicJournal
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    Wideband Class‐F power amplifier design based on harmonic control analysis and bandwidth expansion structure.
    Zhao, Hongyi ; Zhang, Dan
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 65 (2023), Heft 1, S. 109-114
    Online academicJournal
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    Design of multioctave power amplifier using multi‐harmonic bilateral pull technique.
    Xuan, Xuefei ; Wang, Yang ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 63 (2021-02-01), Heft 2, S. 486-492
    Online academicJournal
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    Compact high-linearity, high-efficiency complementary metal-oxide-semiconductor power amplifier with post-distortion lineariser for wireless local area network and Wireless Gigabit Alliance applications.
    Lin, Kuei-Cheng ; Chiou, Hwann-Kaeo ; et al.
    In: IET Microwaves, Antennas & Propagation (Wiley-Blackwell), Jg. 10 (2016-03-01), Heft 4, S. 464-470
    Online academicJournal
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    Dual-mode supply modulator for CMOS envelope tracking power amplifier integrated circuit.
    Ham, Junghyun ; Bae, Jongsuk ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 57 (2015-06-01), Heft 6, S. 1338-1343
    Online academicJournal
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    A full X-band CMOS amplifier with wideband class-E harmonic matching.
    Park, Seungwon ; Jeon, Sanggeun
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 57 (2015-03-01), Heft 3, S. 645-649
    Online academicJournal
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    A Ka‐band power amplifier with filtering characteristic for satellite communication.
    Xie, Heng ; Liu, Qiushi ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 62 (2020-02-01), Heft 2, S. 576-580
    Online academicJournal
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    Highly efficient unsymmetrical doherty power amplifier with DPD for LTE application.
    Xia, Jing ; Zhu, Xiaowei
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 54 (2012-10-01), Heft 10, S. 2352-2356
    Online academicJournal
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    A compact broadband transformer-based linear CMOS power amplifier design.
    Boshi, Jin ; Chenxi, Zhao ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 53 (2011-02-01), Heft 2, S. 422-425
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    A flat gain/power responses 618 GHz power amplifier MMIC with high PAE by using transformer networks.
    Yu, Shu-Jenn ; Hsu, Wei-Chou ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 50 (2008), Heft 1, S. 205-208
    Online academicJournal
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    180 GHz high-gain cascode power amplifier in a 130 nm SiGe process.
    Li, Xingcun ; Chen, Wenhua ; et al.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 56 (2020-05-14), Heft 10, S. 498-500
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    High efficiency broadband GaN HEMT power amplifier based on three-frequency point matching method.
    Cheng, Zhiqun ; Zhao, Ziming ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 59 (2017-08-01), Heft 8, S. 1850-1855
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    A 1.8/2.6 GHz high efficiency dual-band harmonic controlled, 50W GAN power amplifier with wide bandwidth characteristics.
    Zhang, Shipeng ; Kim, Jiyeon ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 58 (2016-10-01), Heft 10, S. 2496-2500
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    Combined class F monolithic PA design.
    Colantonio, Paolo ; Giannini, Franco ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 49 (2007-02-01), Heft 2, S. 360-362
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