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    Preparation of Perovskite oriented PbZrxTi1-xO3 films with suppressed vapor phase reactions by a digital chemical vapor deposition method
    HIRAI, T ; TERAMOTO, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 34 (1995), Heft 2A, S. 539-543
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Accelerated-deposition rate and high-quality film copper chemical vapor deposition using a water vapor addition to a hydrogen and Cu(HFA)2 reaction system
    AWAYA, N ; ARITA, Y
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 32 (1993), Heft 9A, S. 3915-3919
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Film formation by a new chemical vapor deposition process using ionization of tetraethylorthosilicate
    ADACHI, M ; OKUYAMA, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 34 (1995), Heft 9A, S. L1148- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Step coverage analysis for hexamethyldisiloxane and ozone atmospheric pressure chemical vapor deposition
    FUJINO, K ; EGASHIRA, Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 33 (1994), Heft 3B, S. 473-475
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thermal properties of various Ta precursors used in chemical vapor deposition of tantalum pentoxide
    KOYAMA, H ; TANIMOTO, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 33 (1994), Heft 11, S. 6291-6298
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Deposition of WSix films from preactivated mixture of WF6/SiH4
    SAITO, T ; SHIMOGAKI, Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 33 (1994), Heft 1A, S. 275-279
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Surface morphology of YBa2Cu3O7-γ films prepared by metalorganic chemical vapor deposition using liquid sources
    YOSHIDA, Y ; ITO, Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 10B, S. L1376- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    New liquid precursors of yttrium and neodymium for metalorganic chemical vapor deposition
    TASAKI, Y ; SATOH, M ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 11, S. 6871-6875
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Deposition characteristics of (Ba, Sr)TiO3 thin films by liquid source metal-organic chemical vapor deposition at low substrate temperatures
    KANG, C. S ; CHO, H.-J ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 11, S. 6946-6952
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Chemical vapor deposition of nickel oxide films from bis-π-cyclopentadienyl-nickel
    YEH, W.-C ; MATSUMURA, M
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 11, S. 6884-6887
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The effects of substrate temperature and lead precursor flow rate on the fabrication of (Pb,La)(Zr,Ti)O3 thin films by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor deposition
    SHIN, J.-S ; CHUN, S.-S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 4A, S. 2200-2206
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Numerical simulation of plasma chemical vapor deposition from silane : Effects of the plasma-substrate distance and hydrogen dilution
    KAWASE, M ; NAKAI, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 6A, S. 3396-3407
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of precursors formed by mixing SiH2Cl2with NH3 for chemical vapor deposition of silicon nitride films
    KUSAKABE, Y ; HANAOKA, K.-I ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 1A, S. 6-10
    academicJournal
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    Effects of the partial pressure of copper (I) hexafluoroacetylacetonate trimethylvinylsilane on the chemical vapor deposition of copper
    LEE, S.-Y ; RHA, S.-K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 8, S. 5249-5252
    academicJournal
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    Chemical-vapor deposition techniques of Al for direct growth on oxidized Si and high-speed growth
    MATSUMIYA, Y ; KITAHARA, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 34 (1995), Heft 1A, S. L17- (3S.)
    academicJournal
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    Morphology control of films formed by atmospheric-pressure chemical vapor deposition using tetraethylorthosilicate/ozone system
    ADACHI, M ; OKUYAMA, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 35 (1996), Heft 8, S. 4438-4443
    academicJournal
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    Metalorganic chemical vapor deposition of YBa2Cu3Ox thin films using bis-dipivaloylmethanato-barium bis-tetraethylenepentamine adducts as a novel barium source
    ZAMA, H ; MORISHITA, T
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 35 (1996), Heft 6B, S. L770- (4S.)
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Kinetic study of silicon nitride growth from dichlorosilane and ammonia
    OGATA, T ; SORITA, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 35 (1996), Heft 3, S. 1690-1695
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Effects of growth temperature on solid incorporation of AlAs1-xSbx using tertiarybutylarsine as arsenic source precursor
    CHEN, W.-K ; OU, J ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 35 (1996), Heft 10A, S. L1234- (4S.)
    academicJournal
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    Compositional relation of GaAsxSb1-x and related compounds in metalorganic chemical vapor deposition using tBAs and TMSb as group V precursors
    WATANABE, N ; IWAMURA, Y
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 35 (1996), Heft 1A, S. 16-21
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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