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9 Treffer

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    Time-of-flight medium energy ion scattering study of epitaxial Si/Si1-xGex superlattice structures
    1996
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Single-crystal diamond pixelated radiation detector with buried graphitic electrodes
    Bloomer, C. ; Bobb, L. ; et al.
    2021
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Investigation of the thermal stability of strained Ge layers grown at low temperature by reduced-pressure chemical vapour deposition on Si0.2Ge0.8 relaxed buffers
    Dobbie, A. (Andrew) ; Myronov, Maksym ; et al.
    2010
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Anomalous Ge diffusion effects during Ge-condensation
    Beer, C. (Chris) ; Whall, Terry E. ; et al.
    2008
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Application of ultra low energy (ULE) SIMS to emerging diamond technologies
    de la Mata, B. Guzman ; Dowsett, M. G. ; et al.
    2006
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    RBS and XRD analysis of SiGe/Ge heterostructures for p-HMOS applications
    Franco, N. ; Alves, E. ; et al.
    2006
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    XRD analysis of strained Ge-SiGe heterostructures on relaxed SiGe graded buffers grown by hybrid epitaxy on Si(001) substrates
    2005
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Ultra-low energy SIMS study of ultra-shallow boron implants in HPHT diamond
    2005
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Characterization of nitrogen doped chemical vapor deposited single crystal diamond before and after high pressure, high temperature annealing
    2004
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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