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    Study of LWIR and VLWIR Focal Plane Array Developments: Comparison Between p-on-n and Different n-on-p Technologies on LPE HgCdTe
    Largeron, C. ; Deborniol, E. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 38 (2009-05-07), S. 1733-1740
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    LPE HgCdTe on sapphire status and advancements
    Hess, K. L. ; Haines, R. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001-06-01), S. 560-565
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    Advances in composition control for 16 µm LPE P-on-n HgCdTe heterojunction photodiodes for remote sensing applications at 60K
    Parodos, T. ; Norton, Peter W. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 28 (1999-06-01), S. 596-602
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    Microstrip X-ray detector with a very high dynamic range based on LPE-GaAs
    Kaluza, A. ; Rente, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 45 (1998-06-01), S. 724-727
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    Uncooled 4.2 μm light emitting diodes based on InAs0.91Sb0.09/GaSb grown by LPE
    Krier, A. ; Mao, Y.
    In: Optical Materials, Jg. 6 (1996-07-01), S. 55-61
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    GaAlAs/GaAs heterojunction bipolar phototransistors grown by LPE with a current gain of 50 000
    Rey, G. ; Marty, Alain ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 21 (1985), S. 1124-1124
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    High-power (1 W, CW) single-lobe operation of LPE-grown GaInAsP/GaInP (x = 0.8 μm) separate-confinement single-quantum-well broad-area lasers
    Strugov, N. A. ; Garbuzov, D.Z. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 25 (1989), S. 1239-1239
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    High-temperature operation of 1.55 μm InGaAsP double-channel buried-heterostructure lasers grown by LPE
    Brown, R. L. ; Nelson, R. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 20 (1984), S. 417-417
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    Improving GaP Solar Cell Performance by Passivating the Surface Using AlxGa1-xP Epi-Layer
    Barnett, Allen ; Diaz, Martin ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 1 (2013), Heft 5, S. 111-116
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    Butt coupled photodiodes integrated with Y-branched optical waveguides on InP
    Morl, L. ; Kaiser, Ronald ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 25 (1989-01-05), S. 35-37
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    The Reverse Lateral Photovoltaic Effect in Boron-Diffused Si p-n Junction Structure
    Chen, Jianhui ; Qiao, Shuang ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-02-01), S. 201-204
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    GaAs and AlGaAs photodiodes for ionizing radiation detectors
    Andreev, V.M. ; Khvostikov, V.P. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 47 (2003-10-01), S. 1835-1841
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    Fabrication of high-performance large-format MWIR focal plane arrays from MBE-grown HgCdTe on 4″ silicon substrates
    T. J. de Lyon ; Bornfreund, R. E. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001-06-01), S. 566-573
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    Electrical properties of HgCdTe epilayers doped with silver using an AgNO3 solution
    Nishino, Hironori ; Tanaka, Masahiro ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 27 (1998-06-01), S. 579-582
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    MWIR DLPH HgCdTe photodiode performance dependence on substrate material
    D'Souza, A. I. ; DeWames, R. E. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 27 (1998-06-01), S. 727-732
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    Lateral Photocurrent-Induced High-Performance Self-Powered Photodetector Observed in CIGS Heterojunction
    Li, Zhiqiang ; Yang, Lin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-04-01), S. 1639-1644
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    The preparation of CdSnP2/InP heterojunctions by liquid phase epitaxy from Sn-solution
    Kammlott, G. W. ; Bachmann, K. J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 3 (1974-05-01), S. 451-473
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    HgCdTe/CdTe heterostructure diodes and mosaics
    Shin, S. H. ; Cheung, J.T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 27 (1980), S. 154-160
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    Zinc diffused GaP red electroluminescent diodes with 1.5 per cent external quantum efficiency
    Lorimor, O.G. ; Casey, H. C. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 15 (1972-06-01), S. 617-624
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    Investigation of rare earth gettering for the fabrication of improved mid-infrared LEDs
    Sherstnev, V.V. ; Krier, Anthony ; et al.
    In: IEE Proceedings - Optoelectronics, Jg. 147 (2000-06-01), S. 217-221
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