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    Photoluminescence of green InGaN/GaN MQWs grown on pre-wells.
    Lai, Shou-Qiang ; Li, Qing-Xuan ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 29 (2020-11-01), Heft 12, S. 1-6
    academicJournal
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    A new model on recombination dynamics of polar InGaN/GaN MQW LED and IQE measurement.
    Ma, Cang Min ; Tian, Ming ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 35 (2020-07-01), Heft 7, S. 1-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    High-quality nanodisk of InGaN/GaN MQWs fabricated by neutral-beam-etching and GaN regrowth: towards directional micro-LED in top-down structure.
    Zhang, Kexiong ; Takahashi, Tokio ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 35 (2020-07-01), Heft 7, S. 1-9
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Reduction of basal plane defects in (11-22) semipolar InGaN/GaN MQWs fabricated on patterned (113) Si substrates by introducing AlGaN barrier layers.
    Uesugi, Kenjiro ; Hikosaka, Toshiki ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 214 (2017-08-01), Heft 8, S. n/a- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Modeling and study of MgZnO/CdZnO MQW LED with p–GaN/AlGaN cladding/EB layer.
    Sadeghi Madavani, H.R. ; Dehdashti Jahromi, H. ; et al.
    In: Optik - International Journal for Light & Electron Optics, Jg. 268 (2022-10-15), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    serialPeriodical
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    E-beam pumped mid-UV sources based on MBE-grown AlGaN MQW.
    Ivanov, S. V. ; Jmerik, V. N. ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 212 (2015-05-01), Heft 5, S. 1011-1016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Emissions of the InGaN/GaN MQW LEDs with the InGaN well layer grown at different temperatures.
    Li, Rui ; Xu, Mingsheng ; et al.
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 160 (2021-12-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Comparison of growth interruption and temperature variation impact on emission efficiency in blue InGaN/GaN MQWs.
    Mickevičius, J. ; Nomeika, K. ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 183 (2021), S. N.PAG
    academicJournal
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    Polarization-matching and carrier confinement in III-nitride deep-ultraviolet light-emitting diodes.
    Aguileta-Vazquez, R. R. ; Liu, Z. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-11-14), Heft 18, S. 1-13
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Materials and device designs for thermophotovoltaic power conversion.
    McCann, Patrick J. ; Khodr, Majed
    In: Energy Science & Engineering, Jg. 11 (2023-07-01), Heft 7, S. 2469-2485
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
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    Ruddlesden–Popper and Dion–Jacobson Perovskites in Multiple Quantum Wells Light‐Emitting Diodes.
    Yudco, Shir ; Etgar, Lioz
    In: Advanced Optical Materials, Jg. 12 (2024-05-01), Heft 13, S. 1-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Low Driving Voltage and Low Chirp InGaAs/InAlAs MQW Electro-Absorption Modulator
    Sano, Hirohisa ; Inoue, Hiroaki ; et al.
    In: DTIC AND NTIS, 1992
    academicJournal
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    Effect of well layer thickness on quantum and energy conversion efficiencies for InGaN/GaN multiple quantum well solar cells.
    Miyoshi, Makoto ; Tsutsumi, Tatsuya ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 129 (2017-03-01), S. 29-34
    academicJournal
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    Quantum efficiency of InGaN–GaN multi-quantum well solar cells: Experimental characterization and modeling.
    Caria, Alessandro ; Nicoletto, Marco ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 131 (2022-06-14), Heft 22, S. 1-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Highly efficient near ultraviolet LEDs using InGaN/GaN/AlxGa1-xN/GaN multiple quantum wells at high temperature on sapphire substrate.
    Md Sahar, Mohd Ann Amirul Zulffiqal ; Hassan, Zainuriah ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 156 (2023-03-15), S. N.PAG
    academicJournal
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    Efficiency enhancement for resonant-cavity-enhanced InGaN/GaN multiple quantum well solar cells.
    Zheng, Z.W. ; Yu, J. ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 140 (2017-06-01), S. 76-81
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Current gain and external quantum efficiency modeling of GeSn based direct bandgap multiple quantum well heterojunction phototransistor.
    Chakraborty, Vedatrayee ; Dey, Swagata ; et al.
    In: Optical & Quantum Electronics, Jg. 49 (2017-03-01), Heft 3, S. 1-13
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
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    Enhanced resonant Raman scattering and optical emission of ZnO/ZnMgO multiple quantum wells.
    Zhang, Q.Y. ; Ashfaq, J.M. ; et al.
    In: Journal of Alloys & Compounds, Jg. 680 (2016-09-25), S. 232-236
    academicJournal
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    Cavity length and temperature dependent characteristics of compressively strained InGaAsP MQW BH lasers with a two-step compositional SCH structure.
    Y H Ko ; S W Park ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 23 (2008-09-01), Heft 9, S. 95011-95011
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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