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    High Displacement Damage Dose Effects in Radiation Hardened CMOS Image Sensors.
    Rizzolo, Serena ; Le Roch, Alexandre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1256-1262
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Radiation Hardening of Digital Color CMOS Camera-on-a-Chip Building Blocks for Multi-MGy Total Ionizing Dose Environments.
    Goiffon, Vincent ; Rolando, Sebastien ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 45-53
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Total Ionizing Dose Effects on a Radiation-Hardened CMOS Image Sensor Demonstrator for ITER Remote Handling.
    Goiffon, Vincent ; Rizzolo, Serena ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 101-110
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Multi-MGy Radiation Hard CMOS Image Sensor: Design, Characterization and X/Gamma Rays Total Ionizing Dose Tests.
    Goiffon, Vincent ; Corbiere, Franck ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2956-2964
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Radiation Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: Pixel Performance Degradation Due to Total Ionizing Dose.
    Goiffon, Vincent ; Estribeau, Magali ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2878-2887
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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