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    Performance enhancement of InGaN based near ultraviolet LEDs with asymmetric staggered quantum wells.
    Xu, Chaozhi ; Cai, Lie ; et al.
    In: Optical & Quantum Electronics, Jg. 56 (2024-02-01), Heft 2, S. 1-10
    Online academicJournal
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    View record at Springer (Volltext)
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    Paving the Way for High‐Performance UVB‐LEDs Through Substrate‐Dominated Strain‐Modulation.
    Li, Tai ; Luo, Wei ; et al.
    In: Advanced Functional Materials, Jg. 33 (2023-01-16), Heft 3, S. 1-10
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Paving the Way for High‐Performance UVB‐LEDs Through Substrate‐Dominated Strain‐Modulation.
    Li, Tai ; Luo, Wei ; et al.
    In: Advanced Functional Materials, Jg. 33 (2023-01-11), Heft 3, S. 1-10
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Unexpectedly Simultaneous Increase in Wavelength and Output Power of Yellow LEDs Based on Staggered Quantum Wells by TMIn Flux Modulation.
    Lv, Zhenxing ; Zhao, Xiaoyu ; et al.
    In: Nanomaterials (2079-4991), Jg. 12 (2022-10-01), Heft 19, S. 3378-3387
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Effects of V/III ratio of InGaN quantum well at high growth temperature for near ultraviolet light emitting diodes.
    Md Sahar, Mohd Ann Amirul Zulffiqal ; Hassan, Zainuriah ; et al.
    In: Microelectronics International, Jg. 38 (2021-07-01), Heft 3, S. 119-126
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Improved Wave Function Overlap and Carrier Confinement of AlGaN‐Based Deep‐Ultraviolet Light‐Emitting Diodes with Graded Composition Multiple Quantum Wells.
    Xiao, Fu-an ; Liang, Xu ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 218 (2021-05-15), Heft 10, S. 1-7
    academicJournal
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    High Output Power GaN-Based Green Resonant-Cavity Light-Emitting Diodes With Trapezoidal Quantum Wells.
    Wu, Haocheng ; Li, Heng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-09-01), Heft 9, S. 3650-3654
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Performance improvement of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes via Al-composition graded quantum wells.
    Lu, Lin ; Zhang, Yu ; et al.
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 118 (2018-06-01), S. 55-60
    academicJournal
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    Influences of Microhole Depth and SiO2 Nanoparticle/Microsphere Passivation Layer on the Performance of GaN-Based Light-Emitting Diodes.
    Wang, Zih-Fong ; Liu, Wen-Chau
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-10-01), Heft 10, S. 4211-4215
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    32 × 32 Pixelated High-Power Flip-Chip Blue Micro-LED-on-HFET Arrays for Submarine Optical Communication.
    Kim, Tae Kyoung ; Islam, Abu Bashar Mohammad Hamidul ; et al.
    In: Nanomaterials (2079-4991), Jg. 11 (2021-11-01), Heft 11, S. 3045-3045
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Improving Performance of Algan-Based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes by Inserting a Higher Al-Content Algan Layer Within the Multiple Quantum Wells.
    Lu, Lin ; Wan, Zhi ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 214 (2017-11-01), Heft 11, S. n/a- (5S.)
    academicJournal
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    Performance improvement of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes via asymmetric step-like AlGaN quantum wells.
    Lu, Lin ; Wan, Zhi ; et al.
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 104 (2017-04-01), S. 240-246
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Performance improvement of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes by inserting single spike barriers.
    Guo, Weiwei ; Xu, Fujun ; et al.
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 100 (2016-12-01), S. 941-946
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Temperature dependent efficiency droop in GaInN light-emitting diodes with different current densities.
    Meyaard, David S. ; Shan, Qifeng ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 100 (2012-02-20), Heft 8, S. 81106-81108
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Improved performance of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diode using modulated-taper design for p-AlGaN layer.
    Lu, L ; G G Ding ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 33 (2018-03-01), Heft 3, S. 1-1
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Improvement in efficiency and luminous power of AlGaN-based D-UV LEDs by using partially graded quantum barriers.
    Gupta, Himanshu ; Ahmad, Shameem ; et al.
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 142 (2020-06-01), S. N.PAG
    academicJournal
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    Influence of dislocation density on carrier injection in InGaN/GaN light-emitting diodes operated with alternating current.
    Lee, Dong-Yul ; Han, Sang-Heon ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 102 (2013-01-07), Heft 1, S. 011115-11115
    Online academicJournal
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    Improvement of green InGaN-based LEDs efficiency using a novel quantum well structure.
    Li, Yangfeng ; Jiang, Yang ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 26 (2017-08-01), Heft 8, S. 1-1
    academicJournal
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