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    Study of SEU Sensitivity of SRAM-Based Radiation Monitors in 65-nm CMOS
    Leroux, Paul ; Thys, Sam ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), S. 913-920
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    Nonstable Latchups in CMOS ICs Under Pulsed Laser Irradiation
    Chumakov, Alexander I. ; Shvetsov-Shilovskiy, I. I. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), S. 1540-1546
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    A Single-Event Transient-Tolerant High-Frequency CMOS Quadrature Phase Oscillator
    Rudrapati, Sivaramakrishna ; Jagtap, Sharayu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-09-01), S. 2072-2079
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    Radiation Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: Variation of Photodiode Implant Dose
    Belloir, Jean-Marc ; Estribeau, Magali ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), S. 1671-1681
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    Radiation-Induced Leakage Current and Electric Field Enhancement in CMOS Image Sensor Sense Node Floating Diffusions
    Belloir, Jean-Marc ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-03-01), S. 616-624
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    An SRAM-Based Radiation Monitor With Dynamic Voltage Control in 0.18- <tex-math notation='LaTeX'>$\mu$ </tex-math> m CMOS Technology
    Leroux, Paul ; Prinzie, Jeffrey ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), S. 282-289
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    High Displacement Damage Dose Effects in Radiation Hardened CMOS Image Sensors
    Goiffon, Vincent ; Marcelot, Olivier ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, 2020-07-01
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    Fixed Pattern Noise and Temporal Noise Degradation Induced by Radiation Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors
    Chen, Wei ; Ma, Wuying ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-06-01), S. 1264-1270
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    Radiation Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: Variation of Epitaxial Layer Thickness
    Estribeau, Magali ; Avon, Barbara ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), S. 38-44
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    A Radiation-Hardened CMOS Image Sensor With Pixels Exhibiting a Negligibly Small Dark-Level Increase During Ionizing Radiation
    Ozawa, Osamu ; Akahori, Tomoyuki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-08-01), S. 1835-1845
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    Proton and Gamma Radiation Effects on a Fully Depleted Pinned Photodiode CMOS Image Sensor
    Stefanov, Konstantin D. ; Holland, Andrew D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-06-01), S. 1107-1113
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    Total-Ionizing Dose Effects on Charge Transfer Efficiency and Image Lag in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors
    Rizzolo, Serena ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018
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    Transient Response in PPD CMOS Image Sensors Irradiated by Gamma Rays: Variation of Dose Rates and Integration Times
    Xu, Rui ; Sheng, Jiangkun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-06-01), S. 880-885
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    Experimental Soft Error Rate of Several Flip-Flop Designs Representative of Production Chip in 32 nm CMOS Technology
    Soussan, Dimitri ; Roche, Philippe ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), S. 4226-4231
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    TID Effects in Deep N-Well CMOS Monolithic Active Pixel Sensors
    Pozzati, E. ; Andreoli, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-08-01), S. 2124-2131
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    Simulation of a novel, radiation-resistant active pixel sensor in a standard 0.25 /spl mu/m CMOS technology
    Villani, E. G. ; Allport, P. P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 52 (2005-06-01), S. 752-755
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    Enhanced TID Susceptibility in Sub-100 nm Bulk CMOS I/O Transistors and Circuits
    Michael Lee McLain ; Wert, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-12-01), S. 2210-2217
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    Design and Assessment of a Circuit and Layout Level Radiation Hardened CMOS VCSEL Driver
    M. Van Uffelen ; Voorspoels, R.. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-08-01), S. 1055-1060
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    Accurate SPICE models for CMOS analog radiation-hardness-by-design
    Champion, C.L. ; G.S. La Rue
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 52 (2005-12-01), S. 2542-2549
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    Study of N-channel MOSFETs with an enclosed-gate layout in a 0.18 /spl mu/m CMOS technology
    Gingrich, Douglas ; Chen, Li
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 52 (2005-08-01), S. 861-867
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