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    Single-Event Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: SET and SEL.
    Cai, Yulong ; Wen, Lin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 1861-1868
    Online academicJournal
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    A Radiation-Hardened CMOS Image Sensor With Pixels Exhibiting a Negligibly Small Dark-Level Increase During Ionizing Radiation.
    Watanabe, Takashi ; Takeuchi, Tomoaki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 1835-1845
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    High Displacement Damage Dose Effects in Radiation Hardened CMOS Image Sensors.
    Rizzolo, Serena ; Le Roch, Alexandre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1256-1262
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Comparison of X-Ray and Electron Radiation Effects on Dark Current Non-Uniformity and Fluctuations in CMOS Image Sensors.
    Le Roch, Alexandre ; Virmontois, Cedric ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-02-01), Heft 2, S. 268-277
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Phosphorus Versus Arsenic: Role of the Photodiode Doping Element in CMOS Image Sensor Radiation-Induced Dark Current and Random Telegraph Signal.
    Le Roch, Alexandre ; Virmontois, Cedric ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1241-1250
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Radiation Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: Variation of Photodiode Implant Dose.
    Belloir, Jean-Marc ; Virmontois, Cedric ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), Heft 7, S. 1671-1681
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Dose and Single-Event Effects on a Color CMOS Camera for Space Exploration.
    Virmontois, Cedric ; Belloir, Jean-Marc ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 104-110
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Radiation Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: Variation of Epitaxial Layer Thickness.
    Virmontois, Cedric ; Durnez, Clementine ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 38-44
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Radiation Hardening of Digital Color CMOS Camera-on-a-Chip Building Blocks for Multi-MGy Total Ionizing Dose Environments.
    Goiffon, Vincent ; Rolando, Sebastien ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 45-53
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Radiation Hardness Comparison of CMOS Image Sensor Technologies at High Total Ionizing Dose Levels.
    Rizzolo, Serena ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 111-119
    Online academicJournal
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    Fixed Pattern Noise and Temporal Noise Degradation Induced by Radiation Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Wang, Zujun ; Xue, Yuanyuan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-06-01), Heft 6, S. 1264-1270
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Dark Current Spectroscopy on Alpha Irradiated Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Belloir, Jean-Marc ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-08-01), Heft a4, S. 2183-2192
    Online academicJournal
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    Total Ionizing Dose Effects on a Radiation-Hardened CMOS Image Sensor Demonstrator for ITER Remote Handling.
    Goiffon, Vincent ; Rizzolo, Serena ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 101-110
    Online academicJournal
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    Identification of Radiation Induced Dark Current Sources in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Goiffon, V. ; Virmontois, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-04-15), Heft 4, S. 918-926
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Proton, Electron, and Heavy Ion Single Event Effects on the HAS2 CMOS Image Sensor.
    Beaumel, Matthieu ; Herve, Dominique ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1909-1917
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Statistical Analysis of Random Telegraph Signal Maximum Transition Amplitudes in an Irradiated CMOS Image Sensor.
    Gilard, Olivier ; Martin, Emma ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-03-01), Heft 2, S. 939-947
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Radiation Effects in CCD on CMOS Devices: First Analysis of TID and DDD Effects.
    Marcelot, O. ; Goiffon, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2965-2970
    Online academicJournal
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    Multi-MGy Radiation Hard CMOS Image Sensor: Design, Characterization and X/Gamma Rays Total Ionizing Dose Tests.
    Goiffon, Vincent ; Corbiere, Franck ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2956-2964
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    Degradation of CMOS APS Image Sensors Induced by Total Ionizing Dose Radiation at Different Dose Rates and Biased Conditions.
    Zujun, Wang ; Changju, Liu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-04-01), Heft 2, S. 527-533
    Online academicJournal
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    Similarities Between Proton and Neutron Induced Dark Current Distribution in CMOS Image Sensors.
    Virmontois, Cedric ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-04-15), Heft 4, S. 927-936
    Online academicJournal
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