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    Radiation Hardening of Digital Color CMOS Camera-on-a-Chip Building Blocks for Multi-MGy Total Ionizing Dose Environments.
    Goiffon, Vincent ; Rolando, Sebastien ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 45-53
    Online academicJournal
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    Total Ionizing Dose Effects on a Radiation-Hardened CMOS Image Sensor Demonstrator for ITER Remote Handling.
    Goiffon, Vincent ; Rizzolo, Serena ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 101-110
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Radiation-Hardened CMOS Negative Voltage Reference for Aerospace Application.
    Liu, Fan ; Yang, Feng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-09-01), Heft 9, S. 2505-2510
    Online academicJournal
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    Identification of Radiation Induced Dark Current Sources in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Goiffon, V. ; Virmontois, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-04-15), Heft 4, S. 918-926
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Multi-MGy Radiation Hard CMOS Image Sensor: Design, Characterization and X/Gamma Rays Total Ionizing Dose Tests.
    Goiffon, Vincent ; Corbiere, Franck ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2956-2964
    Online academicJournal
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    High-Speed, Radiation-Tolerant Laser Drivers in 0.13 \mum CMOS Technology for HEP Applications.
    Mazza, Giovanni ; Tavernier, Filip ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-02), Heft 6, S. 3653-3659
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    A CMOS 0.13 \mum, 5 Gb/s Laser Driver for High Energy Physics Applications.
    Mazza, Giovanni ; Gui, Ping ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-15), Heft 6, S. 3229-3234
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Commercial 65 nm CMOS Technology for Space Applications: Heavy Ion, Proton and Gamma Test Results and Modeling.
    Roche, Philippe ; Gasiot, Gilles ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-08-01), Heft 4, S. 2079-2088
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Design and Simulation of a MGy Radiation Tolerant Signal Conditioning Circuit for Resistive Sensors in 0.7 \mum CMOS.
    Leroux, P. ; Sterckx, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-04-15), Heft 4, S. 1309-1316
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A 90 nm Bulk CMOS Radiation Hardened by Design Cache Memory.
    Yao, Xiaoyin ; Clark, Lawrence T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-08-01), Heft 4, S. 2089-2097
    Online academicJournal
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    Influence of Transfer Gate Design and Bias on the Radiation Hardness of Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Goiffon, Vincent ; Estribeau, Magali ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3290-3301
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Design and Assessment of a Circuit and Layout Level Radiation Hardened CMOS VCSEL Driver.
    Leroux, Paul ; Lens, Steven ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-08-02), S. 1055-1060
    Online academicJournal
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    A 0.13-um CMOS Serializer for Data and Trigger Optical Links in Particle Physics Experiments.
    Cervelli, Giovanni ; Marchioro, Alessandro ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 51 (2004-06-03), Heft 3, S. 836-841
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Single-Event Transient Sensitivity Evaluation of Clock Networks at 28-nm CMOS Technology.
    Wang, H. B. ; Mahatme, N. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-02-15), Heft 1b, S. 385-391
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Generic Radiation Hardened Photodiode Layouts for Deep Submicron CMOS Image Sensor Processes.
    Goiffon, V. ; Cervantes, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 3076-3084
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Characterization of Heavy-Ion-Induced Single-Event Effects in 65 nm Bulk CMOS ASIC Test Chips.
    Chen, Chia-Hsiang ; Knag, Phil ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-10-02), Heft 5, S. 2694-2701
    Online academicJournal
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    Radiation Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: Pixel Performance Degradation Due to Total Ionizing Dose.
    Goiffon, Vincent ; Estribeau, Magali ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2878-2887
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    Demonstration of a Differential Layout Solution for Improved ASET Tolerance in CMOS A/MS Circuits.
    Armstrong, S. E. ; Olson, B. D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3615-3619
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Frequency Dependence of Alpha-Particle Induced Soft Error Rates of Flip-Flops in 40-nm CMOS Technology.
    Jagannathan, S. ; Loveless, T. D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2796-2802
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    Single-Event Upsets and Distributions in Radiation-Hardened CMOS Flip-Flop Logic Chains.
    Dodd, Paul E. ; Shaneyfelt, Marty R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2695-2701
    Online academicJournal
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