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79 Treffer

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    Annealing Effects on Radiation-Hardened CMOS Image Sensors Exposed to Ultrahigh Total Ionizing Doses.
    Dewitte, H. ; Rizzolo, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1284-1292
    Online academicJournal
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    A Soft-Error Hardened by Design Microprocessor Implemented on Bulk 12-nm FinFET CMOS.
    Clark, Lawrence T. ; Duvnjak, Alen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-07-01), Heft 7, S. 1602-1609
    Online academicJournal
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    Radiation Hardening of Digital Color CMOS Camera-on-a-Chip Building Blocks for Multi-MGy Total Ionizing Dose Environments.
    Goiffon, Vincent ; Rolando, Sebastien ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 45-53
    Online academicJournal
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    TID and Heavy-Ion Performance of an RHBD Multichannel Digitizer in 180-nm CMOS.
    Quilligan, G. ; Aslam, S.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-07-01), Heft 7, S. 1414-1422
    Online academicJournal
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    Total Ionizing Dose Effects on a Radiation-Hardened CMOS Image Sensor Demonstrator for ITER Remote Handling.
    Goiffon, Vincent ; Rizzolo, Serena ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 101-110
    Online academicJournal
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    A CMOS Triple Inter-Locked Latch for SEU Insensitivity Design.
    Li, Tianwen ; Yang, Haigang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3265-3273
    Online academicJournal
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    Identification of Radiation Induced Dark Current Sources in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Goiffon, V. ; Virmontois, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-04-15), Heft 4, S. 918-926
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Radiation-Hardening Technique for Voltage Reference Circuit in a Standard 130 nm CMOS Technology.
    Piccin, Y. ; Lapuyade, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-03-01), Heft 2, S. 967-974
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    A 4.5 MGy TID-Tolerant CMOS Bandgap Reference Circuit Using a Dynamic Base Leakage Compensation Technique.
    Cao, Ying ; De Cock, Wouter ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-10), Heft 4, S. 2819-2824
    Online academicJournal
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    SET and SEU Analyses Based on Experiments and Multi-Physics Modeling Applied to the ATMEL CMOS Library in 180 and 90-nm Technological Nodes.
    Hubert, G. ; Truyen, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3178-3186
    Online academicJournal
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    Design of 65 nm CMOS SRAM for Space Applications: A Comparative Study.
    Gorbunov, Maxim S. ; Dolotov, Pavel S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1575-1582
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    High-Speed, Radiation-Tolerant Laser Drivers in 0.13 \mum CMOS Technology for HEP Applications.
    Mazza, Giovanni ; Tavernier, Filip ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-02), Heft 6, S. 3653-3659
    Online academicJournal
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    Heavy Ion Characterization and Monte Carlo Simulation on 32 nm CMOS Bulk Technology.
    Uznanski, Slawosz ; Gasiot, Gilles ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2652-2657
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A Commercial 65 nm CMOS Technology for Space Applications: Heavy Ion, Proton and Gamma Test Results and Modeling.
    Roche, Philippe ; Gasiot, Gilles ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-08-01), Heft 4, S. 2079-2088
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A Wide Temperature, Radiation Tolerant, CMOS-Compatible Precision Voltage Referencefor Extreme Radiation Environment Instrumentation Systems.
    McCue, Benjamin M. ; Blalock, Benjamin J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-06-20), Heft 3, S. 2272-2279
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Design and Simulation of a MGy Radiation Tolerant Signal Conditioning Circuit for Resistive Sensors in 0.7 \mum CMOS.
    Leroux, P. ; Sterckx, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-04-15), Heft 4, S. 1309-1316
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A 90 nm Bulk CMOS Radiation Hardened by Design Cache Memory.
    Yao, Xiaoyin ; Clark, Lawrence T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-08-01), Heft 4, S. 2089-2097
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Influence of Transfer Gate Design and Bias on the Radiation Hardness of Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Goiffon, Vincent ; Estribeau, Magali ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3290-3301
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    SEU and SET of 65 Bulk CMOS Flip-flops and Their Implications for RHBD.
    Zhao, Yuanfu ; Wang, Liang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2666-2672
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    On the Radiation Tolerance of SiGe HBT and CMOS-Based Phase Shifters for Space-Based, Phased-Array Antenna Systems.
    Thrivikraman, Tushar K. ; Cheng, Peng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 6, S. 3246-3252
    Online academicJournal
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