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    Design of 65 nm CMOS SRAM for Space Applications: A Comparative Study.
    Gorbunov, Maxim S. ; Dolotov, Pavel S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1575-1582
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Incremental Enhancement of SEU Hardened 90 nm CMOS Memory Cell.
    Haddad, Nadim F. ; Kelly, Andrew T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-02), Heft 3, S. 975-980
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Parametric Variability Affecting 45 nm SOI SRAM Single Event Upset Cross-Sections.
    Loveless, Thomas Daniel ; Alles, Michael L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3228-3233
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    State and Angular Dependence of Single-Event Upsets in an Asymmetric RC-Hardened SRAM Using Deep Trench Capacitors.
    Alles, Michael L. ; Schrimpf, Ronald D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3068-3073
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    The Effect of Active Delay Element Resistance on Limiting Heavy Ion SEU Upset Cross-Sections of SOT ADE/SRAMs.
    Liu, S. T. ; Nelson, D. K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-12-01), Heft 6, S. 2480-2487
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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lg 992 - 1200
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