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    First Demonstration of BEOL-Compatible Ultrathin AtomicLayer-Deposited InZnO Transistors with GHz Operation and Record High Bias-Stress Stability
    Zheng, D. ; Charnas, A. ; et al.
    In: 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2022-12-03, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Research on RF Fingerprint Feature Selection Method
    Li, Ying ; Lin, Yun ; et al.
    In: 2020 IEEE 91st Vehicular Technology Conference (VTC2020-Spring), 2020-05-01, S. 1-5
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    ULK optimization for Cu/ULK(K=2.5) BEOL interconnect TDDB and EM improvement at 28/14nm technology node and beyond
    Zou, Xiaodong ; Dou, Tao ; et al.
    In: 2018 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), 2018-03-01, S. 1-5
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A third-harmonic mixer using balanced diode configuration at W-band frequencies
    Jiang, Shu ; Wei, Juan ; et al.
    In: 2015 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), Jg. 3 (2015-12-01), S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    ESD protection design for radio-frequency integrated circuits in nanoscale CMOS technology
    Lin, Chun-Yu ; Chu, Li-Wei ; et al.
    In: 2013 13th IEEE International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO 2013), 2013-08-01, S. 241-244
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A subharmonic mixer at W band
    Bo, Xiang ; Wenbin, Dou ; et al.
    In: 2012 International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology (ICMMT), Jg. 3 (2012-05-01), S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    ESD protection design for 900-MHz RF receiver with 8-kV HBM ESD robustness
    Ker, Ming-Dou ; Lo, Wen-Yu ; et al.
    In: 2002 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (Cat. No.02CH37278), Jg. 1 (2002), S. 537-540
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Coding and Detection Schemes for Ambient Backscatter Communication Systems
    Liu, Y. ; Wang, G. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 5 (2017), S. 4947-4947
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Simulation-Aided Thermal Design of Intermittent Power Transistor Packages
    Xiao, Ying ; Dou, Xinyu ; et al.
    In: 2007 International Workshop on Electron Devices and Semiconductor Technology (EDST), 2007-06-01, S. 89
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    DC, and RF scattering parameters, noise and power characteristics of enhancement-mode In/sub 0.51/Ga/sub 0.49/P/In/sub 0.15/Ga/sub 0.85/As/GaAs power pHEMTs
    Lin, Yo-Sheng ; Tu, Hsin-Yuan ; et al.
    In: 2003 International Symposium on Compound Semiconductors, 2003, S. 223-224
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    ESD protection structure with inductor-triggered SCR for RF applications in 65-nm CMOS process
    Lin, Chun-Yu ; Chu, Li-Wei ; et al.
    In: 2012 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2012-04-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Application of WLAN in JTAV
    Yi Tian Chen ; Ai Min Yu ; et al.
    In: 2005 IEEE International Symposium on Microwave, Antenna, Propagation and EMC Technologies for Wireless Communications, Jg. 2 (2005), S. 1394-1394
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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