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    Analysis and Design of a 970-MHz, 108-Stage CMOS Ambient RF Energy Harvester With −36.5-dBm Input Power Sensitivity
    Park, Y. ; Byun, S.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 72 (2024-06-01), Heft 6, S. 3829-3840
    Online academicJournal
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    A Compact 140-GHz Power Amplifier With 15.4-dBm Psat and 14.25% Peaking PAE in 28-nm Bulk CMOS Process
    Zhang, L. ; Ma, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 72 (2024-05-01), Heft 5, S. 3016-3030
    Online academicJournal
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    An Energy-Efficient 56-Gb/s D-Band TX-to-RX Link Using CMOS ICs and Transmitarray Antennas
    Gonzalez-Jimenez, J.L. ; Siligaris, A. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Technology Letters, Jg. 34 (2024-06-01), Heft 6, S. 801-804
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Ultracompact Inductorless Noise-Canceling LNAs in 40-nm CMOS Achieving 2.2-K Noise Temperature for Qubit Readout
    Chaubey, M.K. ; Liu, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 72 (2024-04-01), Heft 4, S. 2168-2178
    Online academicJournal
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    Blocker-Tolerant Broadband CMOS Low-Noise Amplifier Employing N-Path Filter-Based Load
    Jeong, J. ; Kim, Y. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 12 (2024), S. 61556-61567
    Online academicJournal
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    Co-Design of an Auxiliary Self-Bias Module and a CMOS Rectifier for RF Energy Harvesting
    Jiang, H. ; Wu, Z. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 71 (2024-03-01), Heft 3, S. 1481-1485
    Online academicJournal
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    A Novel Hybrid RF-DC Converter Using CMOS n-Well Process
    Al-Absi, M.A. ; Al-Khulaifi, A.A.
    In: IEEE Access, Jg. 12 (2024), S. 31243-31248
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Recent Development of High-PCE CMOS RF-DC Rectifier With Wide PIN Dynamic Range: Strategies and Trends—Review
    Teo, B.C.T. ; Cong Lim, W. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 12 (2024), S. 79104-79117
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A D-Band Wideband Single-Ended Neutralized Upconversion Mixer With Controlled LO Feedthrough in 65-nm CMOS
    Wang, C. ; Liu, C. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 7 (2024), S. 167-170
    Online academicJournal
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    Array of 296-GHz CMOS Concurrent Transceiver Pixels With Phase and Amplitude Extraction Circuits for Improving Reflection-Mode Imaging Resolution
    Byreddy, P.R. ; Zhu, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, Jg. 14 (2024-03-01), Heft 2, S. 216-227
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Analysis of Airgaps for OFF-State Capacitance Reduction in SOI-CMOS RF Switches
    Gheysens, D. ; Fleury, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-11-01), Heft 11, S. 5814-5817
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A Reconfigurable CMOS Stack Rectifier With 22.8-dB Dynamic Range Achieving 47.91% Peak PCE for IoT/WSN Application
    Churchill, K.K.P. ; Ramiah, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 31 (2023-10-01), Heft 10, S. 1619-1623
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A High-PCE Range-Extension CMOS Rectifier Employing Advanced Topology Amalgamation Technique for Ambient RF Energy Harvesting
    Choo, A. ; Lee, Y.C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 70 (2023-10-01), Heft 10, S. 3747-3751
    Online academicJournal
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    Co-Designed 138 GHz Compact CMOS Transmitter With Simplified Sub-Harmonic Mixer
    Guo, J. ; Shen, Y. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Technology Letters, Jg. 33 (2023-11-01), Heft 11, S. 1560-1563
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A 2.85-mm2 Wideband RF Transceiver in 40-nm CMOS for IoT Micro-Hub Applications
    Wang, D. ; Liu, Z. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 70 (2023-10-01), Heft 10, S. 3930-3943
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    An L-/S-Band SPDT Switch With 30-dBm OP1 dB and 33-dB Isolation in CMOS SOI
    Wang, X. ; Ma, G. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Technology Letters, Jg. 33 (2023-11-01), Heft 11, S. 1529-1531
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A 0.35mm2 94.25μ W Fully Integrated NFC Tag IC Using 0.13μ m CMOS Process
    Wang, D. ; Li, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 71 (2024-06-01), Heft 6, S. 2612-2622
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A 0.5–2.5 GHz Mixer First Receiver With 200 MHz RF Bandwidth and +18.5 dBm OB-IIP3 in 180 nm CMOS for 5G NR Band
    Kumari, A. ; Bhatt, D.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 71 (2024-06-01), Heft 6, S. 2576-2589
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A 0.4–6-GHz Blocker-Tolerant Receiver in 65-nm CMOS With Bandwidth-Extended Technologies for Future V2X Applications
    Luo, Z. ; Chen, Q. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 71 (2024-05-01), Heft 5, S. 2634-2638
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    The Propagation of Extended SET Tails in RF Amplifiers Using 45-nm CMOS on PDSOI
    Teng, J.W. ; Ringel, B.L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 70 (2023-08-01), Heft 8, S. 1829-1837
    Online academicJournal
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