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    Effective Crosstalk Isolation With Post-CMOS Selectively Grown Porous Silicon Technique for Radio Frequency System-on-Chip (SOC) Applications.
    Li, Chen ; Liao, Huailin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-09-01), Heft 9, S. 994-997
    Online academicJournal
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    High-Q Integrated Inductor Using Post-CMOS Selectively Grown Porous Silicon (SGPS) Technique for RFIC Applications.
    Li, Chen ; Liao, Huailin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-08-01), Heft 8, S. 763-766
    Online academicJournal
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    Bond Pad Design With Low Capacitance in CMOS Technology for RF Applications.
    Hsiao, Yuan-Wen ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007), Heft 1, S. 68-70
    Online academicJournal
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    High-Linearity Performance of 0.13-μm CMOS Devices Using Field-Plate Technology.
    Wei, Chien-Cheng ; Chiu, Hsien-Chin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-10-01), Heft 10, S. 843-845
    Online academicJournal
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    A 60-GHz Millimeter-Wave Bandpass Filter Using 0.18-μm CMOS Technology.
    Hsu, Cheng-Ying ; Chen, Chu-Yu ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-03-01), Heft 3, S. 246-248
    Online academicJournal
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    Rotational Driven RF Variable Capacitors With Post-CMOS Processes.
    Gu, Lei ; Li, Xinxin
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-02-01), Heft 2, S. 195-197
    Online academicJournal
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    Cost-Effective Integrated RF Power Transistor in 0.18-μm CMOS Technology.
    Yan, Tao ; Liao, Huailin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-10-01), Heft 10, S. 856-858
    Online academicJournal
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    Coupling Effects Between On-Chip Inductors in the Millimeter-Wave Regime.
    Kang, Kai ; Tan, Cher Jiun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-04-01), Heft 4, S. 362-364
    Online academicJournal
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    Low Capacitance and High Isolation Bond Pad for High-Frequency RFICs.
    Chong, Kyuchul ; Xie, Ya-Hong
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-10-01), Heft 10, S. 746-748
    Online academicJournal
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    Resistive Coupling Efficiency Criterion for Evaluating Substrate Shielding Structures of Transformers.
    Shi, Jinglin ; Xiong, Yong Zhong ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 114-117
    Online academicJournal
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    A Short-Channel SOI RF Power LDMOS Technology With TiSi2 Salicide on Dual Sidewalls With Cutoff Frequency fT ~ 19.3 GHz.
    Yang, Rong ; Li, J. F. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-11-01), Heft 11, S. 917-919
    Online academicJournal
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    Methods for Noise Isolation in RFCMOS ICs.
    Lee, Chih-Yuan ; Chen, Tung-Sheng ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-07-01), Heft 7, S. 478-480
    Online academicJournal
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