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    Giant anisotropic Gilbert damping and spin wave propagations in single-crystal magnetic insulator.
    Zhao, Zhehao ; Zhang, Lei ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 124 (2024-01-29), Heft 5, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Towards developing a compact model for magnetization switching in straintronics magnetic random access memory devices.
    Barangi, Mahmood ; Erementchouk, Mikhail ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-08-21), Heft 7, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
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    Field-free switching model of spin–orbit torque (SOT)-MTJ device with thermal effect based on voltage-controlled magnetic anisotropy (VCMA).
    Li, Shaomin ; Jiang, Yanfeng
    In: AIP Advances, Jg. 13 (2023-02-01), Heft 2, S. 1-9
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Write Error Rate of Spin-Transfer-Torque Random Access Memory Including Micromagnetic Effects Using Rare Event Enhancement.
    Roy, Urmimala ; Pramanik, Tanmoy ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 52 (2016-10-01), Heft 10, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Volltext
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    An Euler–Lagrange Equation Oriented Solution for Write Energy Minimization of STT-MRAM.
    Chen, Bing ; Gao, Shifan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-08-01), Heft 8, S. 3686-3689
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Magnetization reversal in ferromagnetic nanopillar by varying fixed layer orientation: A micromagnetic study.
    Bhoomeeswaran, H. ; Vivek, T. ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1953 (2018-04-12), Heft 1, S. N.PAG- (4S.)
    Konferenz
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Design Space Exploration of Typical STT MTJ Stacks in Memory Arrays in the Presence of Variability and Disturbances.
    Augustine, Charles ; Raychowdhury, Arijit ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 12, S. 4333-4343
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Ion-Beam-Etched Profile Control of MTJ Cells for Improving the Switching Characteristics of High-Density MRAM.
    Takahashi, Shigeki ; Kai, Tadashi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 42 (2006-10-01), Heft 10, S. 2745-2747
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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