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    Comparative Analysis of MTJ/CMOS Hybrid Cells Based on TAS and In-Plane STT Magnetic Tunnel Junctions.
    Jovanovic, Bojan ; Brum, Raphael M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 51 (2015-02-15), Heft 2, S. 1-11
    Online academicJournal
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    STT-RAM Cell Optimization Considering MTJ and CMOS Variations.
    Zhang, Yaojun ; Wang, Xiaobin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 47 (2011-10-01), Heft 10, S. 2962-2965
    Online academicJournal
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    Beyond MRAM, CMOS/MTJ Integration for Logic Components
    M. El Baraji ; Nozieres, J.-P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 45 (2009-10-01), S. 3400-3405
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    STT-RAM Cell Optimization Considering MTJ and CMOS Variations
    Zhang, Yaojun ; Wang, Xiaobin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 47 (2011-10-01), S. 2962-2965
    Online unknown
    Zugriff:
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Beyond MRAM, CMOS/MTJ Integration for Logic Components.
    Prenat, Guillaume ; Dieny, Bernard ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 45 (2009-10-01), Heft 10, S. 3400-3405
    Online academicJournal
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    STT-RAM Cell Design Considering CMOS and MTJ Temperature Dependence.
    Bi, Xiuyuan ; Li, Hai ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 48 (2012-11-01), Heft 11, S. 3821-3824
    Online academicJournal
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    CMOS Fully Compatible Embedded Non-Volatile Memory System With \TiO2\-SiO2 Hybrid Resistive-Switching Material.
    Lee, Ming-Daou ; Ho, Chia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 47 (2011-03-01), Heft 3, S. 653-655
    Online academicJournal
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    Design of an Area-Efficient Computing in Memory Platform Based on STT-MRAM
    Wang, Zhaohao ; Zhang, Youguang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 57 (2021-02-01), S. 1-4
    Online unknown
    Zugriff:
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    Energy-Efficient Differential Spin Hall MRAM-Based 4-2 Magnetic Compressor.
    Nehra, Vikas ; Prajapati, Sanjay ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 56 (2020), Heft 1, S. 1-11
    Online academicJournal
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    Sparse Realization in Unreliable Spin-Transfer-Torque RAM for Convolutional Neural Network
    Chen, Juntong ; Hong, Xiaofeng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 57 (2021-02-01), S. 1-5
    Online unknown
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    Soft Error-Tolerant Design of MRAM-Based Nonvolatile Latches for Sequential Logics.
    Rajaei, Ramin ; Fazeli, Mahdi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 51 (2015-06-01), Heft 6, S. 1-14
    Online academicJournal
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    Radiation-Hardened Design of Nonvolatile MRAM-Based FPGA
    Rajaei, Ramin
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 52 (2016-10-01), S. 1-10
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Radiation-Hardened Design of Nonvolatile MRAM-Based FPGA.
    Rajaei, Ramin
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 52 (2016-10-01), Heft 10, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Transistor-Less Spin Torque Transfer Magnetic Random Access Memory Cell Design
    Wang, Weizhong
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 51 (2015-11-01), S. 1-4
    Online unknown
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    Self-Terminated Write-Assist Technique for STT-RAM
    Mohit Kumar Gupta ; Hasan, Mohd.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 52 (2016-08-01), S. 1-6
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    A 16 Kb Spin-Transfer Torque Random Access Memory With Self-Enable Switching and Precharge Sensing Schemes
    Zhao, Weisheng ; Li, Cong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 50 (2014-04-01), S. 1-7
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Soft Error-Tolerant Design of MRAM-Based Nonvolatile Latches for Sequential Logics
    Fazeli, Mahdi ; Rajaei, Ramin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 51 (2015-06-01), S. 1-14
    Online unknown
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    academicJournal
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    DFSTT-MRAM: Dual Functional STT-MRAM Cell Structure for Reliability Enhancement and 3-D MLC Functionality
    Kang, Wang ; Zhao, Weisheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 50 (2014-06-01), S. 1-7
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    Spin Torque Random Access Memory Down to 22 nm Technology.
    Wang, Xiaobin ; Chen, Yiran ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 44 (2008-11-01), Heft 11, S. 2479-2482
    Online academicJournal
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