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    Memory State Transient Analysis (MSTA): A New Soft Error Rate Measurement Method for CMOS Memory Elements Based on Stochastic Analysis.
    Bota, Sebastia A. ; Torrens, Gabriel ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-15), Heft 6b, S. 3353-3361
    Online academicJournal
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    Temperature Dependence of MCU Sensitivity in 65 nm CMOS SRAM.
    Boruzdina, Anna B. ; Sogoyan, Armen V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2860-2866
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Design of 65 nm CMOS SRAM for Space Applications: A Comparative Study.
    Gorbunov, Maxim S. ; Dolotov, Pavel S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1575-1582
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Single-Event Upsets in Substrate-Etched CMOS SOI SRAMs Using Ultraviolet Optical Pulses With Sub-Micrometer Spot Size.
    McMorrow, Dale ; Khachatrian, Ani ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4184-4191
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Recoil-Ion-Induced Single Event Upsets in Nanometer CMOS SRAM Under Low-Energy Proton Radiation.
    Wu, Zhenyu ; Chen, Shuming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-01-15), Heft 1, part 2, S. 654-664
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Single-Event Charge Collection and Upset in 40-nm Dual- and Triple-Well Bulk CMOS SRAMs.
    Chatterjee, Indranil ; Narasimham, Balaji ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2761-2767
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    DICE-Based Flip-Flop With SET Pulse Discriminator on a 90 nm Bulk CMOS Process.
    Maru, Akifumi ; Shindou, Hiroyuki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3602-3608
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Experimental Characterization and Simulation of Electron-Induced SEU in 45-nm CMOS Technology.
    Samaras, A. ; Pourrouquet, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3055-3060
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    An Engineering Model for Single-Event Effects and Soft Error Rates in Bulk CMOS.
    Fulkerson, David E.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-04-01), Heft 2, S. 506-515
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Single Event Effect Induced Multiple-Cell Upsets in a Commercial 90 nm CMOS Digital Technology.
    Lawrence, Reed K. ; Kelly, Andrew T.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 6, S. 3367-3374
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Current and Future Challenges in Radiation Effects on CMOS Electronics
    Dodd, Paul E. ; Schwank, J.R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-08-01), S. 1747-1763
    Online unknown
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    View record in OpenAIRE (Volltext)
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Altitude and Underground Real-Time SER Characterization of CMOS 65 nm SRAM
    Borel, J. ; Roche, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-08-01), S. 2258-2266
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Effects of Random Dopant Fluctuations (RDF) on the Single Event Vulnerability of 90 and 65 nm CMOS Technologies.
    Balasubramanian, A. ; Fleming, P. R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-12-01), Heft 6, S. 2400-2406
    Online academicJournal
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    Volltext
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Electron-Induced Single-Event Upsets in 45-nm and 28-nm Bulk CMOS SRAM-Based FPGAs Operating at Nominal Voltage.
    Gadlage, Matthew J. ; Roach, Austin H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2717-2724
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Two-Dimensional Markov Chain Analysis of Radiation-Induced Soft Errors in Subthreshold Nanoscale CMOS Devices.
    Jannaty, Pooya ; Sabou, Florian C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-15), Heft 6, S. 3768-3774
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Altitude and Underground Real-Time SER Characterization of CMOS 65 nm SRAM.
    Autran, J. L. ; Roche, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-08-02), Heft 4, S. 2258-2266
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Altitude SEE Test European Platform (ASTEP) and First Results in CMOS 130 nm SRAM.
    Autran, Jean-Luc ; Roche, Philippe ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-08-02), S. 1002-1009
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    CMOS/SOS RAM transient radiation upset and `inversion' effect investigation.
    Nikiforov, A.Y. ; Poljakov, I.V.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 43 (1996-12-01), Heft 6, S. 2659-2664
    Online academicJournal
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    Volltext
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Test CMOS/SOS RAM for transient radiation upset comparative research and failure analysis
    Nikiforov, A.Y. ; Poljakov, I.V.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 42 (1995-12-01), S. 2138-2142
    Online unknown
    Zugriff:
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    Neutron Induced Soft Errors in CMOS Memories Under Reduced Bias.
    Hazucha, Peter ; Johansson, Karin
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 45 (1998-12-01), Heft 6, S. 2921-2928
    Online academicJournal
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md 768 - 992
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