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    LLG Simulation of MRAM Switching Trajectories
    Visscher, P.B. ; Wang, S.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 42 (2006-10-01), Heft 10, S. 3198-3200
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Spin Transfer Torques in Ultra-Scaled MRAM Cells
    Bendra, M. ; Fiorentini, S. ; et al.
    In: 2022 45th Jubilee International Convention on Information, Communication and Electronic Technology (MIPRO), 2022-05-23, S. 129-132
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Retention Testing Methodology for STTRAM
    Iyengar, A. ; Ghosh, S. ; et al.
    In: IEEE Design & Test, Jg. 33 (2016-10-01), Heft 5, S. 7-7
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    An Euler–Lagrange Equation Oriented Solution for Write Energy Minimization of STT-MRAM.
    Chen, Bing ; Gao, Shifan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-08-01), Heft 8, S. 3686-3689
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Size-Dependent Magnetization Switching in Magnetoelectric Heterostructures for Self-Biased MRAM Applications.
    Pathak, Pankaj ; Mallick, Dhiman
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-09-01), Heft 9, S. 4418-4424
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Write Error Rate of Spin-Transfer-Torque Random Access Memory Including Micromagnetic Effects Using Rare Event Enhancement.
    Roy, Urmimala ; Pramanik, Tanmoy ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 52 (2016-10-01), Heft 10, S. 1-6
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Design Space Exploration of Typical STT MTJ Stacks in Memory Arrays in the Presence of Variability and Disturbances.
    Augustine, Charles ; Raychowdhury, Arijit ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 12, S. 4333-4343
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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