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    Evolution of a CMOS based lateral high voltage technology concept
    KNAIPP, M ; PARK, J. M ; et al.
    In: 7th international seminar on power semiconductors, Jg. 37 (2006), Heft 3, S. 243-248
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effect and model of gate oxide breakdown on CMOS inverters
    RODRIGUEZ, R ; STATHIS, J. H ; et al.
    In: INFOS 2003 Proceedings of the 13th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors: June 18-20, Jg. 72 (2004), Heft 1-4, S. 34-38
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Analytical modeling of CMOS circuit delay distribution due to concurrent variations in multiple processes
    HARISH, B. P ; BHAT, Navakanta ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 50 (2006), Heft 7-8, S. 1252-1260
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Reliability issues for nano-scale CMOS dielectrics
    RIBES, G ; RAFIK, M ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 1910-1916
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High performance and highly reliable novel CMOS devices using accumulation mode multi-gate and fully depleted SOI MOSFETs
    CHENG, W ; TERAMOTO, A ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2105-2108
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Performance improvement of CMOS device utilizing poly-Si/HfSiON gate stack and its reliability concern for 65 nm technology and beyond
    KIMIZUKA, N ; YASUDA, Y ; et al.
    In: E-MRS 2006 symposium L : Characterization of high-k dielectric materials, Jg. 9 (2006), Heft 6, S. 860-869
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Si/Si1-xGex heterostructure field effect transistors fabricated using a low thermal budget CMOS process
    DUNFORD, R. B ; PAUL, D. J ; et al.
    In: Micro- and Nano-Engineering 99: MNE 99, Jg. 53 (2000), Heft 1-4, S. 209-212
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Challenges and performance limitations of high-k and oxynitride gate dielectrics for 90/65 nm CMOS technology
    TAN, S. Y
    In: Microelectronics journal, Jg. 38 (2007), Heft 6-7, S. 783-786
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Impact of device scaling on the 1/f noise performance of deep submicrometer thin gate oxide CMOS devices
    KOK WAI, CHEW ; KIAT SENG, YEO ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 50 (2006), Heft 7-8, S. 1219-1226
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Modelling of the 1T-Bulk capacitor-less DRAM cell with improved performances : The way to scaling
    RANICA, R ; VILLARET, A ; et al.
    In: 1st International Conference on Memory Technology and Design - ICMTD'05, Giens, May 21-24, 2005, Jg. 49 (2005), Heft 11, S. 1759-1766
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Incidence of oxide and interface degradation on MOSFET performance
    CESTER, A ; BANDIERA, L ; et al.
    In: INFOS 2003 Proceedings of the 13th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors: June 18-20, Jg. 72 (2004), Heft 1-4, S. 66-70
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    MOSFET output characteristics after oxide breakdown
    FERNANDEZ, R ; RODRIGUEZ, R ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 84 (2007), Heft 1, S. 31-36
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Compact poly-CMP embedded flash memory
    VAN SCHAIJK, Rob ; WILS, Nicole ; et al.
    In: INFOS 2001: Proceedings of the 12th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 59 (2001), Heft 1-4, S. 225-229
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    65 nm LP/GP mix low cost platform for multi-media wireless and consumer applications
    TAVEL, B ; DURIEZ, B ; et al.
    In: Papers selected from the 35th European Solid-State Device Research Conference - ESSDERC'05, Jg. 50 (2006), Heft 4, S. 573-578
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Thermal response of MOCVD hafnium silicate
    LYSAGHT, Patrick ; FORAN, Brendan ; et al.
    In: Proceedings of the Symposium and Summer School on: Nano and Giga Challenges in Microelectronics Research and Opportunities in Russia, Jg. 69 (2003), Heft 2-4, S. 182-189
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Silicon gate notching for patterning features with dimensions smaller than the resolution of the lithography
    FOUCHER, J ; CUNGE, G ; et al.
    In: Micro- and nano- engineering 2001, MNE: proceedings of the 27th international conference on micro- and nano-engineering, September 16-19, Jg. 61-62 (2002), S. 849-857
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    In-depth electrical characterization of sub-45 nm fully depleted strained SOI MOSFETs with TiN/HfO2 gate stack : Ultimate integration on silicon conference 2007
    FERUGLIO, S ; ANDRIEU, F ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 52 (2008), Heft 4, S. 489-497
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Impact strain engineering on gate stack quality and reliability
    CLAEYS, C ; SIMOEN, E ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 52 (2008), Heft 8, S. 1115-1126
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Simulation study of the noise figure of nanometer-gate nMOS transistors near the scaling limit
    CAI, M ; LIU, M ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 51 (2007), Heft 5, S. 667-673
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Low-frequency noise in silicon-on-insulator devices and technologies
    SIMOEN, E ; MERCHA, A ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 51 (2007), Heft 1, S. 16-37
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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