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    academicJournal
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    A defect-based compact modeling approach for the reliability of CMOS devices and integrated circuits
    ESQUEDA, Ivan S ; BARNABY, Hugh J
    In: Solid-state electronics, Jg. 91 (2014), S. 81-86
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Hot-carrier evaluation of a zero-cost transistor developed via process optimization in an embedded non-volatile memory CMOS technology
    Devoge, P. ; Aziza, Hassen ; et al.
    In: ISSN: 0026-2714, 2021
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    CMOS-MEMS switches based on back-end metal layers
    MUNOZ-GAMARRA, J. L ; VIDAL-ALVAREZ, G ; et al.
    In: Micro/Nano Devices and Systems 2013: An open thematic journal issue, Jg. 119 (2014), S. 127-130
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Comparison between TCAD simulated and measured carrier lifetimes in CMOS photodiodes using the Open Circuit Voltage Decay method
    MARCELOT, O ; MAGNAN, P
    In: Solid-state electronics, Jg. 81 (2013), S. 135-139
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    W-band differential power amplifier design in 45 nm low power CMOS
    DEFERM, Noël ; OSORIO, Juan F ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 82 (2013), S. 41-45
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Design to suppress return-back leakage current of charge pump circuit in low-voltage CMOS process
    WENG, Yi-Hsin ; TSAI, Hui-Wen ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 51 (2011), Heft 5, S. 871-878
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A new approach to the modeling of oxide breakdown on CMOS circuits
    FERNANDEZ, R ; RODRIGUEZ, R ; et al.
    In: Reliability of electron devices, failure physics and analysis, Jg. 44 (2004), Heft 9-11, S. 1519-1522
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Gate dielectric degradation in CMOS inverters
    MARTIN-MARTINEZ, J ; GERARDIN, S ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 86 (2009), Heft 10, S. 2123-2126
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Impact of nitrogen post deposition annealing on hafnium zirconate dielectrics for 32 nm high- performance SOI CMOS technologies
    KELWING, T ; NAUMANN, A ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 88 (2011), Heft 2, S. 141-144
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Design of a novel chip on glass package solution for CMOS image sensor device
    CHEN, Ching-Yang ; CHAO, Yung-Ching ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 46 (2006), Heft 8, S. 1326-1334
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A CMOS circuit for evaluating the NBTI over a wide frequency range
    FERNANDEZ-GARCIA, R ; KACZER, B ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 49 (2009), Heft 8, S. 885-891
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Reliability assessment of CMOS differential cross-coupled LC oscillators and a novel on chip self-healing approach against aging phenomena
    AFACAN, Engin ; DUNDAR, Gunhan ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 54 (2014), Heft 2, S. 397-403
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Designing in reliability in advanced CMOS technologies
    PARTHASARATHY, C. R ; DENAIS, M ; et al.
    In: 17th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2006), Wuppertal, Germany, 3-6 October 2006, Jg. 46 (2006), Heft 9-11, S. 1464-1471
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Hot-carrier reliability of 20V MOS transistors in 0.13 μm CMOS technology
    REY-TAURIAC, Y ; BADOC, J ; et al.
    In: 16th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2005), Arcachon, France, October 10-14, Jg. 45 (2005), Heft 9-11, S. 1349-1354
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Advanced backside failure analysis in 65nm CMOS technology : European symposium on reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Bianic, S. ; Allemand, S. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 47 (2007), Heft NO 9-11, S. 1550-1554
    Konferenz
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    Active ESD protection circuit design against charged-device-model ESD event in CMOS integrated circuits : European symposium on reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Chen, S. H. ; Ker, M. D.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 47 (2007), Heft NO 9-11, S. 1502-1505
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Holding voltage investigation of advanced SCR-based protection structures for CMOS technology : European symposium on reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Tazzoli, A. ; Marino, F. A. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 47 (2007), Heft NO 9-11, S. 1444-1449
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Oxide reliability below 3nm for advanced CMOS: Issues, characterization, and solutions : European symposium on reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Goguenheim, D. ; Pic, D. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 47 (2007), Heft NO 9-11, S. 1322-1329
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    ESD protection strategies in advanced CMOS SOI ICs : European symposium on reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Khazhinsky, M. G.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 47 (2007), Heft NO 9-11, S. 1313-1321
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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