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    Practical in situ FTIR for CVD yields revised TEOS-[O.sub.3] model
    BURGGRAAF, PIETER PETE
    In: Solid State Technology, Jg. 43 (2000-03-01), Heft 3, S. 20
    Online serialPeriodical
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    Etch and CVD process improvements via heated vacuum throttle valves
    Goodman, Dan ; Pewsey, Shaun
    In: Solid State Technology, Jg. 43 (2000-12-01), Heft 12, S. 80
    Online serialPeriodical
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    Volltext (PDF)
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    CVD tungsten extends MEMS lifetime by order of magnitude
    Demmin, Jeffery C.
    In: Solid State Technology, Jg. 43 (2000-07-01), Heft 7, S. 38
    Online serialPeriodical
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    Volltext (PDF)
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    ATMI and Ovonyx have agreed to develop chemical vapor deposition (CVD) precursor materials and processes for use in high-volume manufacturing of phase change memory products based on Ovonyx's technology
    In: Solid State Technology, Jg. 51 (2008-05-01), Heft 5, S. 15-15
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    An ALD with CVD throughput?
    In: Solid State Technology, Jg. 46 (2003-10-01), Heft 10, S. 22-22
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Reducing cost and PFC effluent with optimized C2F6 chamber cleaning.
    Jiang, Ai-Guo ; Wong, Eng-Hwa ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 50 (2007-03-01), Heft 3, S. 54-56
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Reducing cost and PFC effluent with optimized C<subscript>2</subscript>F<subscript>6</subscript> chamber cleaning.
    Jiang, Ai-Guo ; Wong, Eng-Hwa ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 50 (2007-03-01), Heft 3, S. 54-56
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Copper interconnect advances to meet Moore's law milestones
    Bhatnagar, Ajay ; Naik, Mehul ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 52 (2009-10-01), Heft 10, S. 16-19
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Low-temperature pre-metal dielectrics for future ICs
    Nag, Somnath ; Ramamurthy, Raman ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 41 (1998-09-01), Heft 9, S. 69-73
    Online serialPeriodical
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    Initial oxidation of chemically cleaned silicon surfaces
    Hirose, Masataka ; Yasaka, Tatsuhiro ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 34 (1991-12-01), Heft 12, S. 43-48
    serialPeriodical
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    Liquid-injection system based on mass flow controllers
    Boer, Hendrik Jan
    In: Solid State Technology, Jg. 39 (1996-03-01), Heft 3, S. 149-151
    Online serialPeriodical
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    III-nitride epitaxial growth with real-time access to wafer temp, ternary composition
    Zettler, Thomas ; Steimetz, Elizabeth
    In: Solid State Technology, Jg. 48 (2005-02-01), Heft 2, S. 32-33
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    'Whistler' waves studied for sub-250-nm PECVD use
    Levenson, M. David
    In: Solid State Technology, Jg. 38 (1995-03-01), Heft 3, S. 28-28
    Online serialPeriodical
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    Diamonds at Stanford: a new technology for the semiconductor industry?
    Kelly, Michael A.
    In: Solid State Technology, Jg. 36 (1993-05-01), Heft 5, S. 61-61
    serialPeriodical
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