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    Thermoelectric Conversion Devise Using Ga-Sn-O Thin Film Prepared by Mist CVD Method
    Aramaki, Tatsuya ; Nomura, Ryuki ; et al.
    In: 2018 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2018-06-01, S. 1-2
    Konferenz
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    Dissipative quantum Hall effect in polycrystalline CVD graphene
    Lafont, F. ; Ribeiro-Palau, R. ; et al.
    In: 29th Conference on Precision Electromagnetic Measurements (CPEM 2014), 2014-08-01, S. 42-43
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High frequency performance limits of nanointerconnects based on CVD-grown graphene films transferred on SiO2-substrate
    D'Aloia, A.G. ; Tamburrano, A. ; et al.
    In: 2013 IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility, 2013-08-01, S. 539-544
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High-electrical-resistivity CVD diamond films with tri-layer UNCD-MCD-UNCD structures for 3DIC applications
    Chen, Poying ; Jiang, Jiheng ; et al.
    In: 2013 13th IEEE International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO 2013), 2013-08-01, S. 121-124
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Variability and feasibility of CVD graphene interconnect
    Kang, C. G. ; Lee, S. K. ; et al.
    In: Proceedings of 2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, 2011-04-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ru Liner Scaling with ALD TaN Barrier Process for Low Resistance 7 nm Cu Interconnects and Beyond
    Motoyama, K. ; van der Straten, O. ; et al.
    In: 2018 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC), 2018-06-01, S. 40-42
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Modified ALD TaN Barrier with Ru Liner and Dynamic Cu Reflow for 36nm Pitch Interconnect Integration
    Bhosale, P. S. ; Maniscalco, J. ; et al.
    In: 2018 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC), 2018-06-01, S. 43-45
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Tungsten and cobalt metallization: A material study for MOL local interconnects
    Kamineni, V. ; Raymond, M. ; et al.
    In: 2016 IEEE International Interconnect Technology Conference / Advanced Metallization Conference (IITC/AMC), 2016-05-01, S. 105-107
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Effect of reduction degree of graphene oxide on electrical property of ERGO-Cu Bishell interconnect structure
    Tian, Yuan ; Wu, Yunwen ; et al.
    In: 2022 23rd International Conference on Electronic Packaging Technology (ICEPT), 2022-08-10, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Electrical performances of low resistive W buried gate using B2H6-reduced W nucleation layer technology for 30nm-based DRAM devices
    Kim, Choon-Hwan ; Rho, Il-Cheol ; et al.
    In: 2011 IEEE International Interconnect Technology Conference, 2011-05-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Ru as an alternative material for advanced contacts
    Hosseini, Maryamsadat ; Schaekers, Marc ; et al.
    In: 2020 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC), 2020-10-05, S. 157-159
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Graphene-based thin-films for flexible applications inspected by high-resolution Terahertz near-field inspection
    Sawallich, Simon ; Uzlu, Burkay ; et al.
    In: 2021 46th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz), 2021-08-29, S. 1-2
    Konferenz
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    Fabrication of stretchable 3D graphene foam/poly-dimethylsiloxane composites for strain sensing
    Maturos, T. ; Phokaratkul, D. ; et al.
    In: 2015 IEEE 15th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO), 2015-07-01, S. 1231-1234
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Technology challenges and enablers to extend Cu metallization to beyond 7 nm node
    Nogami, Takeshi ; Huang, H. ; et al.
    In: 2019 Symposium on VLSI Technology, 2019-06-01, S. 2
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Improving Tungsten gap-fill for advanced contact metallization
    Wu, Kai ; Lee, Sanghyeob ; et al.
    In: 2016 IEEE International Interconnect Technology Conference / Advanced Metallization Conference (IITC/AMC), 2016-05-01, S. 171-173
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Electrically tunable behavior of graphene on high-resistivity silicon substrate
    Wang, Rong ; Jiang, Li Jun
    In: 2017 IEEE International Symposium on Antennas and Propagation & USNC/URSI National Radio Science Meeting, 2017-07-01, S. 1031-1032
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Investigation on anti-reflection coating for high resistance to potential induced degradation
    Mishina, Ken ; Ogishi, Atsufumi ; et al.
    In: 2013 Twentieth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD), 2013-07-01, S. 257-258
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Graphene interconnect lifetime under high current stress
    Chen, Xiangyu ; Seo, David H. ; et al.
    In: 2012 Symposium on VLSI Technology (VLSIT), 2012-06-01, S. 121-122
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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