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    An optimization technique for parameter extraction of ultra-deep submicron LDD MOSFET's
    YUE, HAO ; YANG, Lin-An ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 50 (2006), Heft 9-10, S. 1540-1545
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    An analytical model for hot-carrier-induced degradation of deep-submicron n-channel LDD MOSFETs
    JUNG-SUK, GOO ; YOUNG-GWAN, KIM ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 38 (1995), Heft 6, S. 1191-1196
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    An explanation of 1/f noise in LDD MOSFETs from the ohmic region to saturation
    XIAOSONG, LI ; VANDAMME, L. K. J
    In: Solid-state electronics, Jg. 36 (1993), Heft 11, S. 1515-1521
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    1/f noise in series resistance of LDD MOSTs
    LI, X ; VANDAMME, L. K. J
    In: Solid-state electronics, Jg. 35 (1992), Heft 10, S. 1471-1475
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High frequency noise in fully overlapped lightly doped drain MOSFETs
    KUMARA, Anil ; HALDAR, Subhasis ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 65 (2003), Heft 3, S. 249-257
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Parasitic series resistance extraction and impact ionization current modeling for SOI MOSFETs
    PIDIN, S ; KOYANAGI, M
    In: Microelectronics journal, Jg. 29 (1998), Heft 1-2, S. 31-41
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Gate voltage and geometry dependence of the series resistance and of the carrier mobility in FinFET devices
    MAGNONE, P ; SUBRAMANIAN, V ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 85 (2008), Heft 8, S. 1728-1731
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Determination of gate-bias dependent source/drain series resistance and effective channel length for advanced MOS devices
    HO, C. S ; LO, Y. C ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 50 (2006), Heft 11-12, S. 1774-1779
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Influence of drain bias voltage on determining the effective channel length and series resistance of drain-engineered MOSFETs below saturation
    CHEN, S. L ; JENG, GONG
    In: Solid-state electronics, Jg. 35 (1992), Heft 5, S. 643-649
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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